GD2400SGX170C4S, IGBT modulis, Augststrāvas igbt modulis, STARPOWER

Ievads

Īss ievads

IGBT modulis ,izgatavots uzņēmumā STARPOWER. 1 700V 2400A ,C4 .

Iespējas

Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
Maksimālā savienojuma temperatūra 175 °C
Zema induktivitātes kārta
Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju

Tipiskas lietošanas metodes

Augstas jaudas pārveidotāji
Motoru vadība

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T C =25 o C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtību	Drošības un drošības politika
V Tips	Sildītājs-izsildītājs	1700	V
V =150 °C	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums	±20	V
I C	Kolektora strāva @ T C =100 o C	2400	A
I CM	Impulsu kolektora strāva t p =1ms	4800	A
P D	Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 o C	15.8	kW

Dioda

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtību	Drošības un drošības politika
V RRM	Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums	1700	V
I F	Dioda nepārtraukta uz priekšu īr	2400	A
I FM	Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms	4800	A
I FSM	Pārvirzienu strāva V R =0V,T p =10ms, @T j =25 o C @T j = 150 o C	18.65 15.25	kA
I 2t	I 2t-vērtība,V R =0V,T p =10m s,T j =25 o C I 2t-vērtība,V R =0V,T p =10 ms ,T j = 150 o C	1739 1162	kA 2s

Modulis

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtību	Drošības un drošības politika
T jmax	Maksimālā savienojuma temperatūra	175	o C
T žop	Darbības savienojuma temperatūra	-40 līdz +150	o C
T STG	Uzglabāšanas temperatūras diapazons	-40 līdz +125	o C
V ISO	Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min	4000	V

IGBT Raksturlielumi T C =25 o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V CE (sat)	Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums	I C =2400A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 o C		1.85	2.30	V
		I C =2400A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 o C		2.25
		I C =2400A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 o C		2.35
V ĢEN (ts )	Vārda emitenta slieksnis Spriegums	I C =96.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 o C	5.6	6.2	6.8	V
I Tips	Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz	V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 o C			5.0	mA
I =150 °C	Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz	V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 o C			400	nA
R Gint	Iekšējā vārtu pretestība			0.6		ω
C 125 °C	Ies	V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V		285		mHz
C pretestība	Atgriezītais pārvedums Jauda	V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V		7.13		mHz
Q G	NF	V ĢEN =-15...+15V		23.5		μC
t d (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 900V,I C =2400A, R G =0.82Ω, Garums S =32 nH ,V ĢEN =-9V/+15V, T j =25 o C		609		ns
t r	Atkāpšanās laiks			232		ns
t d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			1676		ns
t f	Nolieku laiks			192		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi			784		mJ
E izslēgt	Izslēgtas Zaudējumi			785		mJ
t d (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 900V,I C =2400A, R G =0.82Ω, Garums S =32 nH ,V ĢEN =-9V/+15V, T j =125 o C		732		ns
t r	Atkāpšanās laiks			280		ns
t d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			2171		ns
t f	Nolieku laiks			243		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi			1350		mJ
E izslēgt	Izslēgtas Zaudējumi			1083		mJ
t d (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 900V,I C =2400A, R G =0.82Ω, Garums S =32 nH ,V ĢEN =-9V/+15V, T j = 150 o C		772		ns
t r	Atkāpšanās laiks			298		ns
t d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			2294		ns
t f	Nolieku laiks			298		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi			1533		mJ
E izslēgt	Izslēgtas Zaudējumi			1126		mJ
I SC	SC dati	t P ≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V		10.5		kA

Dioda Raksturlielumi T C =25 o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F =2400A,V ĢEN =0V,T j = 25o C		1.80	2.25	V
		I F =2400A,V ĢEN =0V,T j =125 o C		1.90
		I F =2400A,V ĢEN =0V,T j = 150 o C		1.95
Q r	Atgūstamā nodeva	V R = 900V,I F =2400A, -di/dt=9570A/μs,V ĢEN =-9V, Garums S =32 nH ,T j =25 o C		243		μC
I RM	Augstais augstums Atgūšanas strāvas			1656		A
E rec	Atgriezeniska atgūšana Enerģija			274		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V R = 900V,I F =2400A, -di/dt=7500A/μs,V ĢEN =-9V, Garums S =32 nH ,T j =125 o C		425		μC
I RM	Augstais augstums Atgūšanas strāvas			1692		A
E rec	Atgriezeniska atgūšana Enerģija			438		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V R = 900V,I F =2400A, -di/dt=6990A/μs,V ĢEN =-9V, Garums S =32 nH ,T j = 150 o C		534		μC
I RM	Augstais augstums Atgūšanas strāvas			1809		A
E rec	Atgriezeniska atgūšana Enerģija			563		mJ

Modulis Raksturlielumi T C =25 o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
Garums CE	Neatklāta induktantība		6.0		nH
R CC+EE	Modulā "Rūgtumvirsme", Termināls uz čipu		0.10		mΩ
R tJC	Savienojums -uz -KĻŪDA (perIGBT ) Savienojums ar korpusu (par Di) ode)			9.5 15.8	K/kW
R tCH	KĻŪDA -uz -Siltumapdalītājs (perIGBT )Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: (atkārtojiet)		6.4 10.7 4.0		K/kW
d Kāpšana	Kontakti pie termovirsma Kontakti starp savituriem		32.2 32.2		mm
d Skaidrs	Kontakti pie termovirsma Kontakti starp savituriem		19.1 19.1		mm
M	Terminala savienojuma griezes moments, Skrūve M4 Terminala savienojuma griezes moments, Skrūve M8 Monta griezes moments, M6 skrūvis	1.8 8.0 4.25		2.1 10 5.75	N.m.
G	Svars of Modulis		2060		g