Өнім брошюрасы:Жүктеу
Кірістірілген кері кернеу блоктау қабілеті жүйенің жобасын ыңғайландыру үшін;
Жоғары кернеу мен жоғары ток қабілеті ірі масштабды қуат түрлендіру қолданбалары үшін;
Өте төмен өткізгіштік шығындары энергияның тиімділігін арттыру үшін;
Тез сөндіру қабілеті жақсы қосу/ажырату сапасымен;
Алғысқа лайықты пресс-қаптама жобасы екі жақты суыту қабілетімен;
Электрлік, жылулық және механикалық керілім жағдайларында жоғары сенімділік .
Жоғары кернеулі тұрақты ток берілуі (HVDC);
Иілгіш айнымалы ток берілу жүйелері (FACTS);
Орта және жоғары кернеу конвертерлері;
Темір жолының тарту қуаты жүйелері;
Кәсіпорындық қуаттың үлкен масштабтағы жабдықтары;
Қайта қалыптастырылатын энергия және желіге қосылған қуатты түрлендіру жүйелері;
Энергия сақтау және жоғары қуатты түрлендіру қолданбалары.


YT-RBC52L3300IC
Негізгі Параметрлер
V DRM |
V |
3300 |
V РРМ |
V |
3300 |
ITGQM |
A |
5200 |
IТМК |
A |
27×103 |
V Дейін |
V |
1.20 |
r T |
mΩ |
0.26 |
V D |
V |
2000 |
Блоктау Деректер
Симбо l |
Бірлік |
Жағдайда |
МИН |
Түрі |
Макс |
V DRM |
V |
қақпақшаның элементін қосу , T ж =90℃,i D ≤IDRM , tp=10 мс |
|
|
3300 |
V РРМ |
V |
қақпақшаның элементін қосу , T ж =90℃,i R ≤IРРМ , tp=10 мс |
|
|
3300 |
IDRM |
mА |
қақпақшаның элементін қосу , T ж =90℃v D=V DRM , tp=1 0мс |
|
|
200 |
IРРМ |
mА |
қақпақшаның элементін қосу , T ж =90℃v R =V РРМ , tp= 10мс |
|
|
200 |
V D |
V |
қосылған қақпақтың бірлігі, T ж =90 °C, I D ≤IDm |
|
|
2000 |
Симбо l |
Бірлік |
Жағдайда |
МИН |
Түрі |
Макс |
ITAV |
A |
T c =70℃, 正弦半波 екі жақты салқындату |
|
1200 |
|
IT(RMS) |
A |
|
2500 |
|
|
IТМК |
A |
t p =10 мс, Т ж =90℃ 正弦半波 толқыннан кейін кернеу қосылмайды |
|
|
27×103 |
I2t |
A2с |
3.92×106 |
|||
V ТМ |
V |
IТМ =4000 A, T ж =90℃ |
|
2.25 |
|
V Дейін |
V |
T ж =90℃ IT =1000…7000 A |
|
1.20 |
|
r T |
mΩ |
|
0.26 |
Симбо l |
Бірлік |
Жағдайда |
МИН |
Түрі |
Макс |
|
ди T /dt(cr) |
А/μс |
f=0…1000 Гц, T ж =25℃ 、 90℃, I T =5200 А, V D= 2000 В, I ТМ ≤6000 А |
|
|
1000 |
t d(on) |
μs |
V D=2000 В, T ж =90℃ IT =5200 А, di/dt=V D/Li Li =3 мкГн CCL =10 мкФ, L CL =0.3 мкГн DCL =D Форвард |
|
10 |
|
t d(on)SF |
μs |
|
7 |
|
|
t r |
μs |
|
4 |
|
|
Eқосулы |
Ж |
|
4 |
|
|
|
ITGQM |
A |
V D≤V DRM , T ж =90℃ V D=2000 В, R С =0,35 Ом CCL =10 мкФ, L CL ≤0,3 мкГн DCL =D Форвард |
|
|
5200 |
t d (ашылған ) |
μs |
V D=2000 В, T ж =90℃ V D≤V DRM , r С =0,35 Ом ITGQ =5200 А, L i =3 мкГн CCL =10 мкФ, L CL =0.3 мкГн DCL =D Форвард |
|
50 |
|
t d(off)SF |
μs |
|
7 |
|
|
Eашылған |
Ж |
|
50 |

Біздің кәсіби сату тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.