Alibaba-дан

YMIF1500-33-I1-01 3300V 1500A Жоғары Артық IGBT Модуль Умметтік Жершіяр Сеті CRRC Тасымалдар Инвертор/Конвертер Қозғалтқыштар

YMIF1500-33-I1-01 3300V 1500A Жоғары Артық IGBT Модуль Умметтік Жершіяр Сеті CRRC Тасымалдар Инвертор/Конвертер Қозғалтқыштар

Кіріспе

Компания туралы

Пекин әлем E Технологиясы Co., Ltd. импорт және экспорт сапасы бар технологиялық компания. Қосымша шешімдер мен технологиялардаң өзгертілген негізде қалайтын, іріктеу мен мүкеммелик принциптерінан пайдаланады. Компания semiconductor продукт дизайні, контракттік тағамдау және дистрибуциясымен ұмытады. Біздің коллаборациялық партнерлердің таңдауына кеңес береді, біз тек дизайны мен өндіріс технологиясындағы ең жақсы технологиялық компаниялармен және өндірушілермен коллаборациялаңыз. Завод аутоматты передачаларының оптимизациясының контракттік өндірісі басқа маңызды бөлімі.

Біздің қабырғалар

1	IGBT модулі және Саяхатші
2	IGCT модулі және Саяхатші
3	Инвертордың негізгі тақтасы
4	Диод модулі
5	Трайстор модуль
6	Ток сенсоры
7	Конденсатор
8	Резистор
9	Жалғыз өріс реле
10	Индустриялық роботтар және Негізгі бөліктер
11	Мемлекеттік бесеруші уғымдар және Негізгі бөліктер

Өнімнің сипаттамасы

Қасиеттер

(1) AISiC базалық тақтасы
(2) AIN основалары
(3) Өтініш термальдық циклдік қабілеті
(4)10μs Қысқа замкнелік қарым-қатынасты ұстау

(5) Төмен Vce(sat) аппараты

(6) Жоғары ток тығыздығы

Типілік қолданулар

(1) Тасымалдаушы жетектер
(2) Мотор контроллерлер
(3) Ақылды Тор
(4)Жоғары достоверность Инвертор

YMIF1500-33-I1-01

3300V/1500A Жалғыз Переключатель IGBT

Негізгі Параметрлер

Символ	Сипаттама	Мәні	Бірлік
V _CES		3300	V
V _{(Солтүстік Қазақстан)}	Тип.	2.40	V
I _Ц	Макс.	1500	А
I _{C ((RM)}	IC ((RM)	3000	А

Абсолюттік ең жоғары рейтингтер

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мәні	Бірлік
V _CES	Жинағыш-эмиттер кернеуі	V _ГЭ= 0V, T _Ц= 25 °C	3300	V
V _ГЭС	Қақпа-эмиттер кернеуі	T _Ц= 25 °C	±20	V
I _Ц	Жинақтаушы-эмиттер тогы	T _Ц= 75°C	1500	А
I _C(PK)	Жинақтың ең жоғары тогы	t _P=1 мс	3000	А
P _макс	Транзистордың қуаттылық шашырауы	Tvj= 150°C, TC= 25 °C	15600	W
I ²t	Диод I ²t	V _R=0В, Т _P= 10ms, Tvj= 150 °C	720	kA ²с
Визоль	Изоляциялық электр тіршілік – модуль бойынша	(Базалық тақтаға ортақ терминалдар), AC RMS, 1 мин, 50Hz,T _Ц= 25 °C	6000	V
Q _ДҚ	Қатты емес шаруашылық–модуль бойынша	IEC1287. V1 = 1800V, V2 = 1300V, 50HzRMS	10	пК

Жылу және механикалық деректер

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Макс.	Мәні		Бірлік
R _{th(J-C) IGBT}	Тепловдық көршілік – IGBT			8	К / кВт		℃
R _{th(J-C) Діод}	Тепловдық көршілік – Діод			16	К / кВт		℃
R _{th(C-H) IGBT}	Тепловдық көршілік – корпус және жылу сорғышы (IGBT)	Орнату дүйіршін 5Nm, монтаждау майларымен 1W/m·°C		6	К / кВт		℃
T _vj	Жұмыс қиылысының температурасы	IGBT	-40	150	°C
T _vj	Жұмыс қиылысының температурасы			Диод	-40	150	°C
М	Шрубтің қозғалыс моменті	Орнату – M6		5	нм
				Өңдеу қосымшалары –M4		2	нм
				Өңдеу қосымшалары –M8		10	нм

Электрлік сипаттамалар

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	Бірлік
I _CES	Коллектордың тоқтату ағымы	V _ГЭ= 0V,V _CE= V _CES			1	mА
				V _ГЭ= 0V, V _CE= V _CES, T _Ц=125 °C			90	mА
				V _ГЭ= 0V, V _CE= V _CES, T _Ц=150 °C			150	mА
I _ГЭС	Қақпаның ағып кету тогы	V _ГЭ= ±20V, V _CE= 0V			1	μA
V _{ЖЕ (ТН)}	Қақпаның шекті кернеуі	I _Ц= 40мА, V _ГЭ= V _CE	5.0	6.1	7.0	V
V _{СЕ (sat)}	Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі	VЖЕ=15V, IC= 1200A,Tvj = 25 °C		2.40	2.90	V
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C		2.95	3.40	V
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 150 °C		3.10	3.60	V
I _F	Диоданың алға ағымы	Тұрақты тағам		1500		А
I _ҚРМ	Диодтың шығыс максималды тогы	t _P= 1мс		3000		А
V _F	Диоданың алға кернеуі	I _F= 250A, V _ГЭ= 0		2.10	2.60	V
				I _F= 250A, V _ГЭ= 0, T _vj= 125 °C		2.25	2.70	V
				I _F= 250A, V _ГЭ= 0, T _vj= 150 °C		2.25	2.70	V
I _SC	Қысқа тоқ	Tvj= 150°C, V _CC= 1000V, V _ГЭ≤15V, tp≤10μs, V _CE(макс)= V _CES–L(*2)×di/dt, IEC 6074-9		5800		А
Қалғандары	Кіріс сыйымдылығы	V _CE= 25В, В _ГЭ= 0В, f = 100кГц		260		нФ
Бас басқарма	Қақпалық төлем	±15		25		μC
Крес	Кері байланыс сыйымдылығы	V _CE= 25В, В _ГЭ= 0В, f = 100кГц		6.0		нФ
L _М	Модуль индуктивтілігі			10		nH
R _INT	Ішкі транзистор кедергісі			110		mΩ

T кейс = 25°C егер басқа нұсқау берілмегенсе

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Минуты

Түрі

Макс

Бірлік

t _d(оң)

Сөндіру кешігу уақыты

I _Ц= 2400А
V _CE= 900В
L _С~ 50нГ
V _ГЭ= ±15В
R _G(ON)= 0.5Ом
R _{G ((OFF)}= 0.5Ом

2100

E _{Ашылған}

Өшіру энергиясының жоғалуы

2400

мЖ

t _d(on)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

750

E _ҚОСУЛЫ

Қосу энергиясының жоғалуы

1450

мЖ

Q _рр

Диодтың кері қалпына келу заряды

I _F= 2400А
V _CE= 900В
diF/dt =10000A/us

1150

μC

I _рр

Диодтың кері қалпына келу тогы

1250

E _рек

Диодтың кері қалпына келу энергиясы

1550

мЖ

T кейс = 150°C егер басқа нұсқау берілмегенсе

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Минуты

Түрі

Макс

Бірлік

t _d(оң)

Сөндіру кешігу уақыты

I _Ц= 2400А
V _CE= 900В
L _С~ 50нГ
V GE = ±15V
R _G(ON)= 0.5Ом
R _G(OFF)= 0.5Ω

2290

E _{Ашылған}

Өшіру энергиясының жоғалуы

3200

мЖ

t _d(on)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

730

E _ҚОСУЛЫ

Қосу энергиясының жоғалуы

3200

мЖ

Q _рр

Диодтың кері қалпына келу заряды

I _F= 2400А
V _CE= 900В
diF/dt =10000A/us

1980

μC

I _рр

Диодтың кері қалпына келу тогы

1450

E _рек

Диодтың кері қалпына келу энергиясы

2720

мЖ

НЕГЕ БИЗДІ ТАҢДАУ КЕРЕК

бірінші сипаттама: Біз тек әлемдегің жетістік технологияға ие болған Китай өндірісшілерінің мәншілік өнімдерін шығаруға болады. Бұл біздің негізгі қадам.
екінші сипаттама: Өндірісшілерді таңдауда бізге кеңес берген жағдайлар бар.
үшінші сипаттама: Біз Қытайдан пайдаланушыларға айналтын шешімдерді ұсыну мүмкіндігі бар.
төртінші сипаттама: Бізде жауапкершілікпен жұмыс істейтін команда бар.

Өнімнің қаптамасы