Alibaba-дан

TIM500GDM33-PSA011 Жаңа Оригинал CRRC IGBT Күшті Модуль Дискрет Полупроводниктер Транзистор Чопперлер Инвертортар/Конвертерлер Қозғалтқыштар

TIM500GDM33-PSA011 Жаңа Оригинал CRRC IGBT Күшті Модуль Дискрет Полупроводниктер Транзистор Чопперлер Инвертортар/Конвертерлер Қозғалтқыштар

Кіріспе

Компания туралы

Бейкин әлем E Технологиясы Co., Ltd. импорт және экспорт сапасы бар технологиялық компания. Қосымша және мүкемелік принциптері ағында құрылған, полупроводниктер ауыстыру шешімдері мен технологияда алдын алу, полупроводниктер өнімі дизайні, контракттық тамаша кеңес беру және таратуға арналған. Біз қошылатын қошырушылардың таңдауына қатысты строгтандырулар бар, біз тек дизайны мен өндіріс технологиясы бірінші деңгейде болатын технологиялық компанияларымен және өндірушілерімен қошылады. Завод автоматты өту жолдарының оптимизациясының тамашалылығы біздің контракттық өндірісінің басқа маңызды бөлігі.

Біздің қабырғалар

1	IGBT модулі және Саяхатші
2	IGCT модулі және Саяхатші
3	Инвертордың негізгі тақтасы
4	Диод модулі
5	Трайстор модуль
6	Ток сенсоры
7	Конденсатор
8	Резистор
9	Жалғыз өріс реле
10	Индустриялық роботтар және Негізгі бөліктер
11	Мемлекеттік бесеруші уғымдар және Негізгі бөліктер

Өнімнің сипаттамасы

Қасиеттер

(1) AISiC базалық тақтасы уақытша жоғары энергиялық циклдік қабілеті үшін
(2) AIN основалары тепловое көпшілік етістігін азайту үшін
(3) Өтініш термальдық циклдік қабілеті
(4) Жоғары ток тығыздығы

(5) 10μs қысқа жолға қарсы қарым-қатынас
(6) Төмен VCEsat

Типілік қолданулар

(1) Тасымалдаушы жетектер
(2) Мотор контроллерлер
(3) Шинжекшелер
(4) Орташа кернеу инверторлары/конвертерлері

TIM500GDM33 -PSA011

YMIBD500-33

3300V/500A Улттың ығысу IGBT модулдері

Негізгі Параметрлер

Символ	Сипаттама	Мәні	Бірлік
V _CES		3300	V
V _{(Солтүстік Қазақстан)}	Тип.	2.4	V
I _Ц	Макс.	500	А
I _CM	ICRM	1000	А

Абсолюттік ең жоғары рейтингтер

Символ	Сипаттама	Мәні	Бірлік
V _CES	Жинағыш-эмиттер кернеуі	3300	V
V _ГЭС	Қақпа-эмиттер кернеуі	±20	V
I _Ц	Коллектор токы @ T _Ц=100℃	500	А
I _CM	Пульсативті коллектор күрделі, tp=1ms, Tc=140°C	1000	А
P _tot	Жалпы энергия тіркелуі, TC=25°C, әр аймақ (IGBT) үшін	5200	W
I ²t	Диод I ²t ,VR =0V, tP = 10мс, Tvj = 150°C	80	kA ²с
V _{тұтастығы}	1 минут, f=50 Гц	6000	V
t _пск	IGBT Қысқа Цикл SOA VCC=2500V,VCEMCHIP≤3300V VGE≤15V,Tvj≤125°C	10	μs
I _F	DC алға ағым	500	А
I _ҚРМ	Максимальный прямой ток,tp=1мс	1000	А
Q _ДҚ	Частичный разряд,V1= 3500V ,V2= 2600V, 50Hz RMS,TC=25°C(IEC 61287)	10	пК
Орнату моменттері	М _СКрепление – M6	5	Нм
		М _T1Электр байланыстары – M4		2
		М _Т2Электр байланыстары – M8		8

Диодтың сипаттамалық мәндері

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	түрі	Макс.	Мәні		Бірлік
V _F	Алға кернеу IF =500A	Tvj = 25 °C		2.10	2.60	V		℃
				Tvj = 125 °C		2.25	2.7	V		℃
				Tvj = 150°C		2.25	2.7	V		℃
I _рр	Кері Қалпына Келтіру Ағымы I _F=500А V _CC=1800V, diF/dt=2100А/мкс	Tvj = 25 °C		420		А
				Tvj = 125 °C			460		А		V
				Tvj = 150 °C			490
Q _рр	Алынған айыппұл I _F=500А V _CC=1800V, diF/dt=2100А/мкс	Tvj = 25 °C		390		μC
				Tvj = 125 °C			620
				Tvj = 150 °C			720
E _рек	Кері қалпына келтіру энергиясы I _F=500А V _CC=1800V, diF/dt=2100А/мкс	Tvj = 25 °C		480		мЖ
				Tvj = 125 °C			760
				Tvj = 150 °C			900

IGBT сипаттамалық мәндері

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	Бірлік
_{V _Cеsat}	Коллектор-эмиттер сатурациясынан өткен жиық шабуы.I _Ц=500А,В _ГЭ=15В	Tvj= 25°C		2.40	2.90	V
				Tvj= 125°C		2.95	3.40	V
				Tvj= 150°C		3.10	3.60	V
I _ГЭС	Қақпаның ағып кету тогы	V _CE=0V, V _ГЭ=±20В, Tvj=25°C	-500		500	nA
V _{ЖЕ (ТН)}	Gate-эмиттер шекті кернеуі	I _Ц=40мА, В _CE=V _ГЭ, Tvj=25°C	5.5	6.1	7.0	V
I _CES	Коллектор-эмиттердің насыту артықшылық күшті.V _CE=3300V,V _ГЭ=0В	Tvj= 25°C			1	mА
				Tvj= 125°C			30	mА
				Tvj = 150 °C			50	mА
I _SC	Қысқа тоқ	tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 150°C,VCC= 2500V		250		А
I _ҚРМ	Диодтың шығыс максималды тогы	t _P= 1мс		500		А
t _d(on)	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	Tvj = 25 °C		650		н
				Tvj = 125 °C		630		н
				Tvj = 150 °C		620		н
t _d(оң)	Сөндіру кешігу уақыты	Tvj = 25 °C		1720		н
				Tvj = 125 °C		1860		н
				Tvj = 150 °C		1920		н
I _SC	Қысқа тоқ	t _пск≤ 10μs, V _ГЭ=15В, T _vj= 150°C,V _CC= 2500V		1800		А
Қалғандары	Кіріс сыйымдылығы	V _CE=25V,V _ГЭ=0V,f=1MHz,Tvj=25°C		90		нФ
Бас басқарма	Қақпалық төлем	C=500A,V _CE=1800V,V _ГЭ=-15V…15V		5.0		μC
Крес	Кері байланыс сыйымдылығы	V _CE=25V,V _ГЭ=0V,f=1MHz,Tvj=25°C		2		нФ
E _қОСУЛЫ	Қалпына келтіру кезінде энергия жоғалту Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C	V _CC=1800V, I _Ц=500A, RG(ON)=3.0Ω RG(OFF)=4.5Ω,C _ГЭ=100нФ,V _ГЭ=±15V L _δ=150нГн		730		nH
							880		мЖ
							930
E _{ашылған}	Қалпына келтіру кезінде энергияның жоғалуы Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C				780		мЖ
							900
							1020

НЕГЕ БИЗДІ ТАҢДАУ КЕРЕК

бірінші сипаттама: Біз тек әлемдегің жетістік технологияға ие болған Китай өндірісшілерінің мәншілік өнімдерін шығаруға болады. Бұл біздің негізгі қадам.
екінші сипаттама: Өндірісшілерді таңдауда бізге кеңес берген жағдайлар бар.
үшінші сипаттама: Біз Қытайдан пайдаланушыларға айналтын шешімдерді ұсыну мүмкіндігі бар.
төртінші сипаттама: Бізде жауапкершілікпен жұмыс істейтін команда бар.

Өнімнің қаптамасы