Alibaba-дан

TIM250PHM33-PSA011 IGBT Модуль Транзисторы өсімдік инверторларға Жаңа және Оригинал CRRC IGBT Күшті Модуль

TIM250PHM33-PSA011 IGBT Модуль Транзисторы өсімдік инверторларға Жаңа және Оригинал CRRC IGBT Күшті Модуль

Кіріспе

Компания туралы

Пекин әлем E Технологиясы Co., Ltd. импорт және экспорт сапасы бар технологиялық компания. Қосымша шешімдер мен технологиялардаң өзгертілген негізде қалайтын, іріктеу мен мүкеммелик принциптерінан пайдаланады. Компания semiconductor продукт дизайні, контракттік тағамдау және дистрибуциясымен ұмытады. Біздің коллаборациялық партнерлердің таңдауына кеңес береді, біз тек дизайны мен өндіріс технологиясындағы ең жақсы технологиялық компаниялармен және өндірушілермен коллаборациялаңыз. Завод аутоматты передачаларының оптимизациясының контракттік өндірісі басқа маңызды бөлімі.

Біздің қабырғалар

1	IGBT модулі және Саяхатші
2	IGCT модулі және Саяхатші
3	FRD модуль
4	Диод модулі
5	Трайстор модуль
6	Ток сенсоры
7	Конденсатор
8	Резистор
9	Жалғыз өріс реле
10	Индустриялық роботтар және Негізгі бөліктер
11	Мемлекеттік бесеруші уғымдар және Негізгі бөліктер

Өнімнің сипаттамасы

Қасиеттер

(1) AISiC базалық тақтасы
(2) AIN основалары
(3)Жылдам өткізушілік кезектілік
(4)10μs Қысқа замкнелік қарым-қатынасты ұстау

Типілік қолданулар

(1) Тартудың көмекші құралдары
(2) Мотор контроллерлер
(3) Шинжекшелер
(4)Жоғары достоверность Инвертор

TIM250PHM33-PSA011

3300V/250A Жартылайтын IGBT мостік

Негізгі Параметрлер

Символ	Сипаттама	Мәні	Бірлік
V _CES		3300	V
V _{(Солтүстік Қазақстан)}	Тип.	2.5	V
I _Ц	Макс.	250	А
I _{C ((RM)}	IC ((RM)	500	А

Абсолюттік ең жоғары рейтингтер

Символ	Сипаттама	Мәні	Бірлік
V _CES	Жинағыш-эмиттер кернеуі	3300	V
V _ГЭС	Қақпа-эмиттер кернеуі	±20	V
I _Ц	Коллектор токы @ T _Ц=100℃	250	А
I _C(PK)	Импульсны коллектор токы t _p=1 мс	500	А
P _макс	Транзистордың қуаттылық шашырауы Tvj = 150°C, TC = 25 °C	2600	W
I ²t	Диод I ²t V _R=0В, Т _P= 10мс, Tvj = 150 °C	20	kA ²с
V _{тұтастығы}	Оқшаулау кернеуі модуль бойынша ( База табанына ортақ нүктелер), AC RMS,1 мин, 50Hz,TC= 25 °C	6000	W
Q _ДҚ	Бөлшек төгілу модуль бойынша IEC1287.V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS	10	пК

Жылу және механикалық деректер

Символ	Түсініктеме	Мәні	Бірлік
Крейппеж қашықтығы	Терминалды жылу сорғысына	33.0	мм
Крейппеж қашықтығы		Терминалдан терминалға	33.0	мм
Рұқсат беру	Терминалды жылу сорғысына	20.0	мм
Рұқсат беру		Терминалдан терминалға	20.0	мм
CTI (салыстырмалы іздену индексі)	Діод максималды жауапкерші токы t _p=1 мс	＞600

Жылу және механикалық деректер

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Макс.	Мәні		Бірлік
R _{th(J-C) IGBT}	Тепловдық көршілік – IGBT			48	К / кВт		℃
R _{th(J-C) Діод}	Тепловдық көршілік – Діод			80	К / кВт		℃
R _{th(C-H) IGBT}	Тепловдық көршілік – корпус және жылу сорғышы (IGBT)	Орнату дүйіршін 5Nm, монтаждау майларымен 1W/m·°C		18	К / кВт		℃

R _{th(C-H) Діод}	Тепловдық көршілік – жылу сорғышы (диод) корпусы	Орнату дүйіршін 5Nm, монтаждау майларымен 1W/m·°C		36	К / кВт		V
T _{vj op}	Жұмыс қиылысының температурасы	IGBT	-40	150	°C
T _{vj op}	Жұмыс қиылысының температурасы			Диод	-40	150	°C
М	Шрубтің қозғалыс моменті	Орнату – M6		5	нм
М			Электрик сәйкес келу –M5		4	нм

Электрлік сипаттамалар

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	Бірлік
I _CES	Коллектордың тоқтату ағымы	V _ГЭ= 0V,V _CE= V _CES			1	mА
				V _ГЭ= 0V, V _CE= V _CES, T _Ц=125 °C			15	mА
				V _ГЭ= 0V, V _CE= V _CES, T _Ц=150 °C			25	mА
I _ГЭС	Қақпаның ағып кету тогы	V _ГЭ= ±20V, V ^CE= 0V			1	μA
V _{ЖЕ (ТН)}	Қақпаның шекті кернеуі	I _Ц= 20мА, V _ГЭ= VСЕ	5.5	6.1	7.0	V
VCE _(сызық)	Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі	VGE = 15В, IC = 250А
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C
I _F	Диоданың алға ағымы	Тұрақты тағам		250		А
I _ҚРМ	Диодтың шығыс максималды тогы	t _P= 1мс		500		А
V _F	Диоданың алға кернеуі	I _F= 250A, V _ГЭ= 0		2.10	2.40	V
				I _F= 250A, V _ГЭ= 0, T _vj= 125 °C		2.25	2.25	V
				I _F= 250A, V _ГЭ= 0, T _vj= 150 °C		2.25	2.25	V
I _SC	Қысқа тоқ	T _vj= 150° C, V _CC= 2500V, V _ГЭ≤15V, tp≤10μs, V _CE(макс) = V _CES– L (*2)×di/dt, IEC 6074		900		А
Қалғандары	Кіріс сыйымдылығы	VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz		27		нФ
Бас басқарма	Қақпалық төлем	±15		2.6		V
Крес	Кері байланыс сыйымдылығы	VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz		0.9		нФ
L _М	Модуль индуктивтілігі			40		nH
R _INT	Ішкі транзистор кедергісі			0.5		mΩ

НЕГЕ БИЗДІ ТАҢДАУ КЕРЕК

бірінші сипаттама: Біз тек әлемдегің жетістік технологияға ие болған Китай өндірісшілерінің мәншілік өнімдерін шығаруға болады. Бұл біздің негізгі қадам.
екінші сипаттама: Өндірісшілерді таңдауда бізге кеңес берген жағдайлар бар.
үшінші сипаттама: Біз Қытайдан пайдаланушыларға айналтын шешімдерді ұсыну мүмкіндігі бар.
төртінші сипаттама: Бізде жауапкершілікпен жұмыс істейтін команда бар.

Өнімнің қаптамасы