MZ100,Тез Қайтаулы Діод модулі,TECHSEM

VRRM

Түрі & Сызба

600В

MZ100-06-210F2NA

MZ100-06-210F2NK

800V

MZ100-08-210F2NA

MZ100-08-210F2NK

1000В

MZ100-10-210F2NA

MZ100-10-210F2NK

1200В

MZ100-12-210F2NA

MZ100-12-210F2NK

1400V

MZ100-14-210F2NA

MZ100-14-210F2NK

1600V

MZ100-16-210F2NA

MZ100-16-210F2NK

1800V

MZ100-18-210F2NA

MZ100-18-210F2NK

Символ

СӘРЕПТІК

Сынақ шарттары

Tj( ℃ )

Мәні

Бірлік

Минуты

ТҮР

Макс

IF(AV)

Орташа алға қарай ағым

180° жартылай синусоидалық 50Hz

Бір жақты салқындатылған, TC= 100 ℃

140

100

А

IF (RMS)

RMS алға қарай ағым

157

А

IRRM

Қайталау шыңы ағым

vRRM-де

140

30

mА

IFSM

Сурж алға ағым

10ms жартылай синусоидалық толқын VR=0.6VRRM

140

3.5

kA

I2t

Фузия координациясы үшін I2t

61

А ²s* 10 ³

VFO

Төменгі кернеу

140

1.05

V

радио жабайынан кейін

Алға қарай еңіс кедергісі

1.80

mΩ

VFM

Шың алға қарай кернеу

IFM=300A

25

1.90

V

trr

Кері Қалпына Келтіру Уақыты

IFM=200A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs, VR= 100V

140

4

μs

Rth(j-c)

Термиялық кедергі Джункиядан корпусқа

Әр чип үшін бір жақты салқындатылған

0.200

℃ /W

Rth(c-h)

Жылу кедергісі корпусқа дейін радиатор

Әр чип үшін бір жақты салқындатылған

0.080

℃ /W

Fm

Терминал байланыс моменті (M6)

6.0

Н·м

Монтаж моменті (M6)

6.0

Н·м

TVj

Байланыс температурасы

-40

140

℃

ТСТГ

Сақталған температура

-40

125

℃

Wt

Салмақ

185

g

Нысан

210F2