IGBT Модулі 1700V

Символ

Сипаттама

GD3600SGT170C4S

Блоктар

ККЕЖ

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

VGES

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллекторлық ток@ TC=25℃

Коллекторлық ток@ TC=80℃

5200

А

3600

ICM(1)

Пульсациялық Коллектор токы tp= 1ms

7200

А

IF

Диодты үздіксіз алдыңғы ток

3600

А

ifm

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы

7200

А

ДҚ

Ең жоғары дереу пайда кылу @ Tj= 175℃

19.7

кВт

Тж

Жоғарғы түйісу температурасы

175

°C

ТСТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

°C

VISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1мин

2500

V

Орнату

Сигнал терминалының бұрандасы:M4

Қуат терминалының бұрандасы:M8

1.8-ден 2.1-ге

8.0-ден 10-ға

Н.М

Торк

Тіркемелік бұранда:M6

4.25-тен 5.75

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V(BR) CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

Tj=25°C

1700

V

ICES

Коллектордың тоқтату ағымы

VCE=VCES,VGE=0V,Tj=25°C

5.0

mА

ИГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы

Жүк

VGE=VGES,VCE=0V,Tj=25°C

400

nA

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

VGE (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері

Кернеу

IC= 145mA,VCE=VGE, Tj=25℃

5.2

5.8

6.4

V

VCE (sat)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25℃

2.00

2.45

V

IC=3600A,VGE=15V, Tj= 125℃

2.40

2.85

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

Бас басқарма

Қақпалық төлем

VGE=- 15...+15В

42.0

μC

RGint

Ішкі қақпа кедергісі

Tj=25°C

0.5

Ω

Тд ((олтырау)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15В,Tj=25°C

730

н

tr

Күтерілу уақыты

205

н

Тд (оң)

Сөндіру кешігу уақыты

1510

н

tf

Күз мезгілі

185

н

Эон

Қосылу қосу шығыны

498

МЖ

Еоф

Ашылғанда ауысу шығыны

1055

МЖ

Тд ((олтырау)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj= 125℃

785

н

tr

Күтерілу уақыты

225

н

Тд (оң)

Сөндіру кешігу уақыты

1800

н

tf

Күз мезгілі

325

н

Эон

Қосылу қосу шығыны

746

МЖ

Еоф

Ашылғанда ауысу шығыны

1451

МЖ

Қалғандары

Кіріс сыйымдылығы

VCE=25В,f=1Мхц,

VGE=0V

317

НФ

Коэ

Шығарылымдық сыйымдылық

13.2

НФ

Крес

Кері ауыстыру

Қуаттылық

10.5

НФ

ISC

SC деректері

tsc≤10μs,VGE=15V,

Tj=125℃,VCC= 1000V, VCEM≤1700V

14000

А

LCE

Айналадағы индуктивтілік

10

nH

RCC’+EE ’

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.12

mΩ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

VF

Алға қарай диод

Кернеу

IF=3600A

Tj=25°C

1.80

2.20

V

Tj= 125℃

1.90

2.30

Qr

Алынған айыппұл

IF=3600A,

VR=900V,

RGon=0.4Ω,

VGE=- 15V

Tj=25°C

836

μC

Tj= 125℃

1451

IRM

Кері Қалпына Келтіру Ағымы

Tj=25°C

2800

А

Tj= 125℃

3300

Ерек

Кері қалпына келтіру энергиясы

Tj=25°C

590

МЖ

Tj= 125℃

1051