Ძირევანი უპირატესობები
Ინტეგრირებული უკუ ძაბვის დაბლოკვის შესაძლებლობა გამარტებული სისტემის დიზაინისთვის;
Მაღალი ძაბვისა და მაღალი დენის შესაძლებლობა დიდი მასშტაბის სიმძლავრის გარდაქმნის აპლიკაციებისთვის;
Ულტრადაბალი გატარვის დანაკარგები გაუმჯობესებული ენერგიის ეფექტურობისთვის;
Სწრაფი გამორთვის შესაძლებლობა გამორჩეული გადართვის მოსამსახურეობით;
Განვითარებული პრეს-პეკ პაკეტის დიზაინი ორმხრივი გაგრილების შესაძლებლობით;
Მაღალი დამაჯაკებლობა ელექტრო-, თერმული და მექანიკური დატვირთვის პირობებში .
Გამოყენების სფეროები
Მაღალი ძაბვის მუდმივი დენის გადაცემა (HVDC);
Ფლექსიბელური ცვლადი ძაბვის გადაცემის სისტემები (FACTS);
Საშუალო და მაღალი ძაბვის კონვერტერები;
Რკინიგზის ტრაქციის ენერგომომარაგების სისტემები;
Დიდი მასშტაბის სამრეწველო ენერგომომარაგები;
Აღადგენადი ენერგიის და ქსელში დაკავშირებული ენერგიის გარდაქმნის სისტემები;
Ენერგიის დაგროვების და მაღალი სიმძლავრის გარდაქმნის გამოყენებები.
YT-RBC52L3300IC
Ძირითადი პარამეტრები
V DRM |
V |
3300 |
V RRM |
V |
3300 |
ITGQM |
A |
5200 |
ITSM |
A |
27×103 |
V -დან |
V |
1.20 |
რ T |
mΩ |
0.26 |
V D |
V |
2000 |
Დაბლოკვა Მონაცემი
Სიმბო l |
Ერთეული |
Მდგომარეობა |
Წუთი |
Ტიპი |
Მაქს. |
V DRM |
V |
კარიბჭის ერთეული ჩართული , ტ ჯ =90℃,i D ≤IDRM ,tp=10 მს |
|
|
3300 |
V RRM |
V |
კარიბჭის ერთეული ჩართული , ტ ჯ =90℃,i Რ ≤IRRM ,tp=10 მს |
|
|
3300 |
IDRM |
mA |
კარიბჭის ერთეული ჩართული , ტ ჯ =90℃v D=V DRM ,tp=1 0ms |
|
|
200 |
IRRM |
mA |
კარიბჭის ერთეული ჩართული , ტ ჯ =90℃v Რ =V RRM ,tp= 10 მს |
|
|
200 |
V D |
V |
გატარების ელემენტზე ძაბვის მიწოდება T ჯ =90℃, I D ≤IDm |
|
|
2000 |
Ჩართული მდგომარეობის მონაცემები
Სიმბო l |
Ერთეული |
Მდგომარეობა |
Წუთი |
Ტიპი |
Მაქს. |
ITAV |
A |
T c =70℃, წარმოების ნახევარწვერა ორმხრივი გაგრილება |
|
1200 |
|
IT(RMS) |
A |
|
2500 |
|
ITSM |
A |
t პ =10ms, T ჯ =90℃ წარმოების ნახევარწვერა
შემდეგ ძაბვის მიწოდება აღარ ხდება შეტაკების შემდეგ
|
|
|
27×103 |
I2t |
A2ს |
3.92×106 |
V TM |
V |
ITM =4000 ა, T ჯ =90℃ |
|
2.25 |
|
V -დან |
V |
T ჯ =90℃
IT =1000…7000 ა
|
|
1.20 |
|
რ T |
mΩ |
|
0.26 |
|
Სიმბო l |
Ერთეული |
Მდგომარეობა |
Წუთი |
Ტიპი |
Მაქს. |
|
დი T /dt(cr)
|
A/μS
|
f=0…1000 ჰც, T ჯ =25℃ 、 90°ც, I T =5200 ა, V D= 2000 ვ, I TM ≤6000 ა |
|
|
1000
|
t d(on) |
μs |
V D=2000 ვ, T ჯ =90℃
IT =5200 ა, di/dt=V D/Li Li =3 მკჰ
CCL =10 მკფ, L CL =0.3 მკჰ DCL =D Წინადადება
|
|
10 |
|
t d(არ არის)SF |
μs |
|
7 |
|
t რ |
μs |
|
4 |
|
Ე ჩართული |
Ჯ |
|
4 |
|
|
ITGQM
|
A
|
V D≤V DRM , ტ ჯ =90℃
V D=2000V, R Ს =0,35Ω CCL =10 მკფ, L CL ≤0,3μH DCL =D Წინადადება
|
|
|
5200
|
t d (გათიშული ) |
μs |
V D=2000 ვ, T ჯ =90℃ V D≤V DRM , r Ს =0,35Ω ITGQ =5200A, L i =3 მკჰ CCL =10 მკფ, L CL =0.3 მკჰ DCL =D Წინადადება |
|
50 |
|
t d(გამორთვის)SF |
μs |
|
7 |
|
Ე გათიშული |
Ჯ |
|
50 |
|
EN
