非対称IGCTデバイス、YT-ASC40L6500SC#／YT-ASC40L6500SD#

シンボル

条件

分 で

典型的な

分 ax

V _DRM

T _Vj =125°C,I _D≤I DRM,t _p =10ms

—

—

6500

V

私 _DRM

T _Vj =125°C,V _D=V DRM,t _p =10ms

—

—

50

mA

d _v /d_t

T _Vj =125°C,V _D=0.67V _DRM

—

—

1000

V/μs

V _{DClin について K}

GCTの100FIT故障率に対する永久DC電圧

—

—

4000

V

V _RRM

\

—

—

17

V

シンボル

条件

分 で

典型的な

分 ax

私 _DC

T _C= 85 ℃,DC、 両面冷却

—

—

2000

A

私 _{ターミナル・マスク}

私 ²_t

T _Vj = 125 について ℃,sin cE 半波 , 10ms,

V _D=V _バー =0

—

—

—

—

26

338

KA

10⁴A² 秒

V _ティム

T _Vj = 125°C,I _T =4000A

—

3.75

4.11

V

V _～

バー _T

T _Vj = 125°C,I _T = 1000… 4000A

—

—

1.88

0.55

V

分 ω

シンボル

試験条件

分 で

典型的な

分 ax

ディ _T /dt

TVJ = 125 について ℃, IT = 4電子電源の電源が電源の電源の電源に変換される

—

—

5000

A/ について μ 秒

t _don

T _Vj = 125 について ℃, 私 _T = 5000A,V _D = 4000V、

di /dt = V _D/L_私 、 _CL =20μF,L _私 = 3微分H,L _CL =0.3μH

—

—

3

μ 秒

t _ダンSF

—

—

7

μ 秒

t _バー

—

—

1

μ 秒

E_オン

—

—

3.3

J

シンボル

条件

分 で

典型的な

分 ax

私 _TGQM

T _Vj = 125°C,V _DM ≤ V _DRM , V D =4000V、L _CL =0.3μH

C_CL = 20μF,R _秒 ゼロです 4ω ，f=0..300Hz

D_Fwd = D _CL = FY _B 1100-60

—

—

4000

A

t _ほら

T _Vj = 125℃,私 _TGQ = 4000A V _D=4000V

V _DM ≤ V _DRM ,C_CL = 20μF、 バー _秒 =0.4 オー

L _私 =3μH、 L_CL =0.3μH

D_Fwd = D _CL = FYB 1100-60

—

—

8

μ 秒

t _{doffSF について}

—

—

7

μ 秒

t _f

—

—

1

μ 秒

E_オフ

—

442.5

46.3

J

シンボル

試験条件

分 で

典型的な

分 ax

T _Vj

T _STG

/

0

-40

—

125

60

℃

℃

バー _thJC

バー _thCH

両面冷却

—

—

—

—

8.5

3

電力量

電力量

シンボル

試験条件

分 で

典型的な

分 ax

V _{遺伝子番号 RMS}

DC電圧またはAC正方波振幅（15kHz - 100kHz）。電源回路への絶縁なし。

28

—

40

V

P_{遺伝子番号 最大}

/

—

—

130

W

私 _{ゲン・ミン}

分かってる 電力とゲートユニットに電源が必要

2

—

—

A

私 _{ゲンマックス}

整流平均電流は

ゲートユニット

—

—

8

A

t _{について (分)}

t _{消去する (min)}

/

40

40

—

—

—

—

μ 秒

μ 秒

P_{cSについて}

P_{Off CS}

P_{sFについて}

P_{オフ SF}

1mmのプラスチック光ファイバーで有効です (POF)

-15

—

-19

—

—

—

—

—

-1

-45

-1

-50

dBm

dBm

dBm

dBm

t _グラフ

t _復元する

応答なしの最大パルス幅

/

—

700

—

—

400

1100

nS

nS

CS

アジレント ，車両タイプ： HFBR-2521

SF

アジレント ，車両タイプ： HFBR-1521