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非対称IGCT(A-IGCT)

非対称IGCT(A-IGCT)

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非対称IGCTデバイス、YT-ASC40L6500SC#/YT-ASC40L6500SD#

非対称IGCTモジュール 6500V 4000A

Brand:
YT
Spu:
YT-ASC40L6500SC#/YT-ASC40L6500SD#
Appurtenance:

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概要

概要

非対称IGCT(A-IGCT)モジュールは、高度な中高電圧電力変換アプリケーション向けに設計された、高電力・高信頼性の半導体デバイスです。GTO技術の高電圧・大電流特性とIGCT技術の高速スイッチング性能を融合させることで、厳しい産業用電力電子システムに効率的なソリューションを提供します。

先進的なウエハー製造技術と最適化されたデバイス構造を特徴とする非対称IGCTモジュールは、低導通損失、高いターンオフ能力、優れた熱性能、および卓越した運用信頼性を実現します。過酷な産業環境下でも安定し、長期にわたって動作することを保証するよう設計されています。

非対称IGCTモジュールは、高電圧インバータ、産業用整流電源、鉱山用巻上装置、鉄道牽引、電力品質改善装置、大型モータ駆動装置、再生可能エネルギー発電の電力変換システムなど、幅広い分野で採用されています。

主な特長:

中~高電力アプリケーション向けの高電圧対応能力
大規模電力変換システム向けの高電流対応能力
導通損失が低く、システム効率の向上を実現
高速ターンオフ性能により、動的応答性が向上
連続的な産業用運用に適した高信頼性
高出力密度設計で、コンパクトな電力電子システムを実現

優れた電気特性と信頼性を備えた非対称IGCTモジュールは、次世代の高効率・高信頼性電力電子システムに不可欠な半導体ソリューションです。

試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験

主要パラメータ

V DRM

6500

V

TGQM

4000

A

ターミナル・マスク

26

kA

V から

1.88

V

バー T

0.56

mQ

V DCリンク

4000

V

ブロックデータ

シンボル

条件

M

典型的な

M ax

V DRM

T Vj =125°C,I D ≤I DRM,t p =10ms

-

-

6500

V

DRM

T Vj =125°C,V D =V DRM,t p =10ms

-

-

50

mA

d v /dt

T Vj =125°C,V D =0.67V DRM

-

-

1000

V/μs

V DClin について K

GCTの100FIT故障率に対する永久DC電圧

-

-

4000

V

V RRM

\

-

-

17

V

国内データ

シンボル

条件

M

典型的な

M ax

DC

T C = 85 , DC、 両面冷却

-

-

2000

A

ターミナル・マスク

2t

T Vj = 125 について , sin cE 半波 , 10ms,

V D =V バー =0

-

-

-

-

26

338

KA

104A 2 s

V ティム

T Vj = 125°C,I T =4000A

-

3.75

4.11

V

V から

バー T

T Vj = 125°C,I T = 1000… 4000A

-

-

1.88

0.55

V

m ω

オンデータ

シンボル

試験条件

M

典型的な

M ax

ディ T /dt

TVJ = 125 について , IT = 4電子電源の電源が電源の電源の電源に変換される

-

-

5000

A/ について μ s

t don

T Vj = 125 について , 私 T = 5000A,V D = 4000V、

di /dt = V D /LCL =20μF,L = 3微分H,L CL =0.3μH

-

-

3

μ s

t ダンSF

-

-

7

μ s

t バー

-

-

1

μ s

E

-

-

3.3

J

切断データ

シンボル

条件

M

典型的な

M ax

TGQM

T Vj = 125°C,V DM ≤ V DRM , V D =4000V、L CL =0.3μH

C CL = 20μF,R S ゼロです 4ω f=0..300Hz

D Fwd = D CL = FY B 1100-60

-

-

4000

A

t ほら

T Vj = 125, TGQ = 4000A V D =4000V

V DM V DRM , C CL = 20μF、 バー S =0.4 オー

L =3μH、 L CL =0.3μH

D Fwd = D CL = FYB 1100-60

-

-

8

μ s

t doffSF について

-

-

7

μ s

t f

-

-

1

μ s

E オフ

-

442.5

46.3

J

熱データ

シンボル

試験条件

M

典型的な

M ax

T Vj

T STG

/

0

-40

-

125

60

バー thJC

バー thCH

両面冷却

-

-

-

-

8.5

3

電力量

電力量

ゲートユニット

シンボル

試験条件

M

典型的な

M ax

V 遺伝子番号 RMS

DC電圧またはAC正方波振幅(15kHz - 100kHz)。電源回路への絶縁なし。

28

-

40

V

P 遺伝子番号 最大

/

-

-

130

W

ゲン・ミン

分かってる 電力とゲートユニットに電源が必要

2

-

-

A

ゲンマックス

整流平均電流は

ゲートユニット

-

-

8

A

オプティカルコントロール入力/出力

t について (分)

t 消去する (min)

/

40

40

-

-

-

-

μ s

μ s

P cSについて

P ff CS

P sFについて

P オフ SF

1mmのプラスチック光ファイバーで有効です (POF)

-15

-

-19

-

-

-

-

-

-1

-45

-1

-50

dBm

dBm

dBm

dBm

t グラフ

t 復元する

応答なしの最大パルス幅

/

-

700

-

-

400

1100

nS

nS

CS

アジレント タイプ: HFBR-2521

SF

アジレント タイプ: HFBR-1521

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