Introduzione sintetica
Prodotti della serie IGCT
La nostra azienda fornisce thyristor a commutazione integrata con gate (IGCT) ad alte prestazioni prodotti per applicazioni elettroniche di potenza ad alta potenza e media tensione. L’IGCT combina i vantaggi della tecnologia thyristor con quella avanzata della commutazione tramite gate, offrendo elevata capacità di tensione, capacità di gestione corrente ultra-elevata, basse perdite in conduzione, eccellenti prestazioni di commutazione e straordinaria affidabilità.
Il portafoglio prodotti IGCT comprende due principali serie:
1. IGCT a conduzione inversa (RC-IGCT)
L’IGCT a conduzione inversa integra l’IGCT e il diodo di ricircolo in un’unica struttura semiconduttore, fornendo una soluzione compatta con eccellenti prestazioni di commutazione e una progettazione del sistema semplificata. È ampiamente adatta ad applicazioni quali azionamenti a media tensione, convertitori e sistemi ad inverter ad alta potenza.
2. IGCT asimmetrico (A-IGCT)
L'IGCT asimmetrico è ottimizzato per applicazioni di commutazione ad alta potenza, offrendo eccellenti capacità di spegnimento, basse perdite in conduzione e alta densità di corrente. È progettato per applicazioni esigenti che richiedono la massima capacità di gestione della potenza, tra cui convertitori a media tensione, azionamenti industriali e sistemi di conversione energetica ad alta potenza.
Grazie alla tecnologia avanzata dei semiconduttori e all'affidabile confezionamento in press-pack, i nostri prodotti IGCT forniscono soluzioni efficienti e affidabili per sistemi HVDC, conversione di energia rinnovabile, azionamenti industriali per motori, sistemi di trazione e altre applicazioni ad alta potenza
Applicazioni
Convertitore ad alta potenza
Attrezzature per azionamento motore
Sistema di trasmissione flessibile
Caratteristiche
Con capacità di spegnimento automatico
Basse perdite operative
Sia adatto per applicazione in serie
Chiave Parametri
V DRM |
4500 |
V |
S TGQM |
5000 |
A |
S TSM |
35 |
kA |
V A |
1.22 |
V |
barra T |
0.28 |
mΩ |
V DClink |
2800 |
V |
Blocco Dati
Il simbolo |
Condizione |
Min |
Tipo |
Max |
Unità |
V DRM |
TVJ = 125 ℃ , ID ≤ IDRM , tp = 10 ms |
- |
- |
4500 |
V |
I DRM |
TVJ = 125 ℃ , VD = VDRM , tp = 10 ms |
- |
- |
50 |
mA |
dv/dt |
TVJ = 125 ℃ , VD = 0,67 VDRM |
|
|
1000 |
V/μs |
VDClink |
tensione continua intermedia consentita per un tasso di guasto di 100 FIT |
- |
- |
2800 |
V |
VRRM |
/ |
- |
- |
17 |
V |
Stato attivo Dati
Il simbolo |
Condizione |
Min |
Tipo |
Max |
Unità |
S T (RMS) |
TC = 85 ℃ , Onda sinusoidale semionda, raffreddamento bilaterale |
- |
- |
3000 |
A |
|
S TSM
S 2t
|
TVJ = 125 ℃ , Onda sinusoidale semionda, 10 ms, VD = VR = 0 |
-
-
|
-
-
|
35
545
|
kA
104A 2s
|
V TM |
TVJ = 125 ℃, IT = 5000 A |
- |
2.37 |
2.61 |
V |
|
V A
barra T
|
TVJ = 125 ℃, IT = 1000…5000 A
|
-
-
|
-
-
|
1.22
0.28
|
V mΩ |
Accendere Dati
Il simbolo |
Condizione |
Min |
Tipo |
Max |
Unità |
diT/dt |
TVJ = 125 ℃, IT = 5000 A, VD = 2800 V, f = 0…500 Hz |
- |
- |
5000 |
A/μs |
tdon |
|
- |
- |
4 |
μs |
|
t donSF
tr
|
TVJ = 125 ℃, IT = 5000 A, VD = 2800 V, di/dt = VD/Li, CCL = 20 μF, RS = 0,4 Ω, Li = 3 μH, LCL = 0,3 μH |
-
-
|
-
-
|
8
1
|
μs
μs
|
E acceso |
|
- |
- |
1.8 |
J |
Dati di spegnimento
Il simbolo |
Condizione |
Min |
Tipizzazione e |
Max |
Unità |
|
S TGQM
|
TVJ = 125 ℃, VDM ≤ VDRM, VD = 2800 V, LCL = 0,3 μH, CCL = 20 μF, RS = 0,4 Ω, f = 0…300 Hz
DFWD = DCL=SF8.FYB2000-45
|
-
|
-
|
5000
|
A
|
|
t - Non lo so.
t doffSF
t f
E OFF
|
TVJ = 125 ℃, ITGQ = 5000 A, VD = 2800 V, VDM ≤ VDRM, CCL = 20 μF, RS = 0,4 Ω
L i =4μH, L CL = 0.3μH
DFWD = DCL= SF8.FYB2000-45
|
-
-
-
-
|
-
-
-
28
|
8
10
1
33
|
μs
μs
μs
J
|
EN
