3300 V, 5200 A
Produktbroschüre:Herunterladen
Integrierte Sperrfähigkeit in Sperrrichtung zur Vereinfachung des Systemdesigns;
Hohe Spannungs- und Stromfähigkeit für großskalige Leistungswandlungsanwendungen;
Ultra-niedrige Leitungsverluste zur Steigerung der Energieeffizienz;
Schnelle Abschaltfähigkeit mit hervorragender Schaltleistung;
Fortgeschrittener Press-Pack-Gehäusedesign mit beidseitiger Kühlungsmöglichkeit;
Hohe Zuverlässigkeit unter elektrischen, thermischen und mechanischen Belastungsbedingungen .
Hochspannungs-Gleichstrom-Übertragung (HVDC);
Flexible Wechselstrom-Übertragungssysteme (FACTS);
Mittelspannungs- und Hochspannungsumrichter;
Eisenbahnantriebssysteme;
Großindustrielle Stromversorgungssysteme;
Erneuerbare-Energien- und netzgekoppelte Leistungswandlersysteme;
Energiespeicher- und Hochleistungs-Wandlungsanwendungen.
YT-RBC52L3300IC
Schlüsselparameter
V DRM |
V |
3300 |
V RRM |
V |
3300 |
ITGQM |
A |
5200 |
ITSM |
A |
27×103 |
V Bis |
V |
1.20 |
r T |
mΩ |
0.26 |
V D |
V |
2000 |
Sperren Daten
Symbol l |
Einheit |
Zustand |
MIN |
Typ |
Max |
V DRM |
V |
gate-Einheit unter Spannung , T j =90℃,I D ≤IDRM , tp=10 ms |
|
|
3300 |
V RRM |
V |
gate-Einheit unter Spannung , T j =90℃,I R ≤IRRM , tp=10 ms |
|
|
3300 |
IDRM |
mA |
gate-Einheit unter Spannung , T j =90℃,V D=V DRM , tp=1 0 ms |
|
|
200 |
IRRM |
mA |
gate-Einheit unter Spannung , T j =90℃,V R =V RRM , tp= 10ms |
|
|
200 |
V D |
V |
steuerzelle wird eingeschaltet, T j = 90 °C, I D ≤IDm |
|
|
2000 |
Symbol l |
Einheit |
Zustand |
MIN |
Typ |
Max |
ITAV |
A |
T c =70℃, zwei- oder Vier-Strahler doppelseitige Kühlung |
|
1200 |
|
IT(RMS) |
A |
|
2500 |
|
|
ITSM |
A |
t p =10 ms, T j =90℃ zwei- oder Vier-Strahler nach dem Überspannungsstoß wird keine Spannung mehr angelegt |
|
|
27×103 |
I2t |
A2s |
3.92×106 |
|||
V TM |
V |
ITM = 4000 A, T j =90℃ |
|
2.25 |
|
V Bis |
V |
T j =90℃ IT = 1000 … 7000 A |
|
1.20 |
|
r T |
mΩ |
|
0.26 |
Symbol l |
Einheit |
Zustand |
MIN |
Typ |
Max |
|
di T /dt(Cr) |
A/μs |
f = 0 … 1000 Hz, T j =25℃ 、 90 °C, I T = 5200 A, V D= 2000 V, I TM ≤ 6000 A |
|
|
1000 |
t (Das ist ein |
μs |
V D= 2000 V, T j =90℃ IT = 5200 A, di/dt = V D/Li Li = 3 μH CCL = 10 μF, L CL = 0,3 μH DCL = D VWD |
|
10 |
|
t d(on)SF |
μs |
|
7 |
|
|
t r |
μs |
|
4 |
|
|
Eein |
J |
|
4 |
|
|
|
ITGQM |
A |
V D≤V DRM , T j =90℃ V D=2000 V, R S =0,35 Ω CCL = 10 μF, L CL ≤0,3 μH DCL = D VWD |
|
|
5200 |
t d (aus ) |
μs |
V D= 2000 V, T j =90℃ V D≤V DRM , r S =0,35 Ω ITGQ =5200 A, L i = 3 μH CCL = 10 μF, L CL = 0,3 μH DCL = D VWD |
|
50 |
|
t d(off)SF |
μs |
|
7 |
|
|
Eaus |
J |
|
50 |
Unser professionelles Verkaufsteam wartet auf Ihre Anfrage.
Sie können ihre Produktliste verfolgen und Fragen stellen, die Sie interessieren.
EN
