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Kurze Einführung
IGCT-Serienprodukte
Unser Unternehmen bietet leistungsstarke integrierte steuerbare Drosselventile (IGCT) produkte für leistungsstarke und mittelspannungsfähige Leistungselektronikanwendungen. Der IGCT vereint die Vorteile der Thyristortechnologie mit moderner Gate-Kommutierungstechnologie und zeichnet sich durch hohe Spannungsfestigkeit, extrem hohe Strombelastbarkeit, geringe Leitverluste, hervorragende Schaltleistung sowie außergewöhnliche Zuverlässigkeit aus.
Das IGCT-Produktsortiment umfasst zwei Hauptserien:
1. Rückleitfähiger IGCT (RC-IGCT)
Der rückleitfähige IGCT integriert den IGCT und die Freilaufdiode in einer einzigen Halbleiterstruktur und bietet damit eine kompakte Lösung mit exzellenter Schaltleistung sowie einer vereinfachten Systemgestaltung. Er eignet sich breit für Anwendungen wie mittelspannungsfähige Antriebe, Umrichter und hochleistungsfähige Wechselrichtersysteme.
2. Asymmetrischer IGCT (A-IGCT)
Das asymmetrische IGCT ist für Hochleistungs-Schaltanwendungen optimiert und bietet hervorragende Ausschaltfähigkeit, geringe Leitungsverluste sowie eine hohe Stromdichte. Es ist für anspruchsvolle Anwendungen konzipiert, die maximale Leistungsverarbeitungskapazität erfordern – darunter Mittelspannungsumrichter, industrielle Antriebe und Hochleistungs-Energieumwandlungssysteme.
Mit fortschrittlicher Halbleitertechnologie und zuverlässiger Press-Pack-Verpackung bieten unsere IGCT-Produkte effiziente und zuverlässige Lösungen für HVDC-Systeme, Erneuerbare-Energien-Umwandlung, industrielle Motorantriebe, Traktionsysteme sowie andere Hochleistungsanwendungen.
Anwendungen
Hochleistungswandler
Motorantriebsausrüstung
Flexibles Übertragungssystem
Merkmale
Mit Selbstabschaltfähigkeit
Geringe Betriebsverluste
Eignung für anwendung in Serie
Schlüssel Parameter
V DRM |
4500 |
V |
W TGQM |
5000 |
Ein |
W TSM |
35 |
kA |
V Zu |
1.22 |
V |
r T |
0.28 |
mΩ |
V DClink |
2800 |
V |
Sperren Daten
Symbol |
Zustand |
Min |
Typ |
Max |
Einheit |
V DRM |
TVJ = 125 °C , ID ≤ IDRM, tp = 10 ms |
- |
- |
4500 |
V |
I DRM |
TVJ = 125 °C , VD = VDRM, tp = 10 ms |
- |
- |
50 |
mA |
dv/dt |
TVJ = 125 °C , VD = 0,67 · VDRM |
|
|
1000 |
V/μs |
VDClink |
zwischen-Gleichspannung zulässig bei einer Ausfallrate von 100 FIT |
- |
- |
2800 |
V |
VRRM |
/ |
- |
- |
17 |
V |
Einschaltzustand Daten
Symbol |
Zustand |
Min |
Typ |
Max |
Einheit |
W T(RMS) |
TC = 85 °C , Sinus-Halbwelle, beidseitige Kühlung |
- |
- |
3000 |
Ein |
|
W TSM W 2t |
TVJ = 125 °C , Sinus-Halbwelle, 10 ms, VD = VR = 0 |
- - |
- - |
35 545 |
kA 104Ein 2s |
V TM |
TVJ = 125 °C, IT = 5000 A |
- |
2.37 |
2.61 |
V |
|
V Zu r T |
TVJ = 125 °C, IT = 1000 … 5000 A |
- - |
- - |
1.22 0.28 |
V mΩ |
Einschalten Daten
Symbol |
Zustand |
Min |
Typ |
Max |
Einheit |
diT/dt |
TVJ = 125 °C, IT = 5000 A, VD = 2800 V, f = 0 … 500 Hz |
- |
- |
5000 |
A/μs |
tdon |
|
- |
- |
4 |
μs |
|
t donSF tr |
TVJ = 125 °C, IT = 5000 A, VD = 2800 V, di/dt = VD/Li, CCL = 20 μF, RS = 0,4 Ω, Li = 3 μH, LCL = 0,3 μH |
- - |
- - |
8 1 |
μs μs |
E ein |
|
- |
- |
1.8 |
J |
Ausschalt-Daten
Symbol |
Zustand |
Min |
Typ e |
Max |
Einheit |
|
W TGQM |
TVJ = 125 °C, VDM ≤ VDRM, VD = 2800 V, LCL = 0,3 μH, CCL = 20 μF, RS = 0,4 Ω, f = 0 … 300 Hz DFWD = DCL=SF8.FYB2000-45 |
- |
- |
5000 |
Ein |
|
t doff t doffSF t f E OFF |
TVJ = 125 °C, ITGQ = 5000 A, VD = 2800 V, VDM ≤ VDRM, CCL = 20 μF, RS = 0,4 Ω L i =4μH, L CL = 0.3μH DFWD = DCL= SF8.FYB2000-45 |
- - - - |
- - - 28 |
8 10 1 33 |
μs μs μs J |
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