GD150HFX170C1S, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

W C

Kollektorstrom @ T C =25o C @ T C =95o C

229

150

Ein

W CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

300

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175o C

815

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1700

V

W F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

150

Ein

W FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

300

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t= 1 Minute

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

W C =150A,V GE =15V, T j =25o C

1.85

2.30

V

W C =150A,V GE =15V, T j =125o C

2.25

W C =150A,V GE =15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

W C =6.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

W CES

Sammler Geschnitten -Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

W GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

5.0

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

18.1

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.44

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

1.41

μC

t d (bei )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =150A, R G =3.3Ω,V GE =±15V, L S =70nH , T j =25o C

303

nS

t r

Aufstiegszeit

75

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

417

nS

t f

Herbstzeit

352

nS

E bei

Einschalten Schaltvorgang Verlust

42.3

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

25.3

mJ

t d (bei )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =150A, R G =3.3Ω,V GE =±15V, L S =70nH ,T j =125o C

323

nS

t r

Aufstiegszeit

88

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

479

nS

t f

Herbstzeit

509

nS

E bei

Einschalten Schaltvorgang Verlust

58.9

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

34.9

mJ

t d (bei )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =150A, R G =3.3Ω,V GE =±15V, L S =70nH ,T j =150o C

327

nS

t r

Aufstiegszeit

90

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

498

nS

t f

Herbstzeit

608

nS

E bei

Einschalten Schaltvorgang Verlust

65.6

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

40.2

mJ

W SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

600

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

W F =150A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

W F =150A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

W F =150A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =150A,

-di/dt=1510A/μs,V GE =-15V L S =70nH , T j =25o C

26.2

μC

W RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

131

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

21.6

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =150A,

-di/dt=1280A/μs,V GE =-15V L S =70nH, T j =125o C

48.0

μC

W RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

140

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

40.1

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =150A,

-di/dt=1240A/μs,V GE =-15V L S =70nH, T j =150o C

52.3

μC

W RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

142

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

42.5

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

30

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.65

mΩ

R thJC

Junction -zu -Fallstudie (proIGBT ) Junction-to-Case (pro Di ode)

0.184 0.368

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.150 0.300 0.050

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

150

g