Qısa giriş
IGBT ماژول ,H yüksək cərəyanlı IGBT modul , tək açar IGBT modulları CRRC tərəfindən istehsal olunur. 1700V 2400A.
کلیدی پارامترلر
V C ES |
1700 V |
V CE ((sat) |
(نوع ) 1.75 V |
I C |
(maks. ) 2400 A |
I C(RM) |
(maks. ) 4800 A |
تطبيقات نموذجي
- چکه ن ماشينلار
- موتور کنترلچی لاری
-
Akıllı Şəbəkə
-
Yuksək Firibkarlıq İnvertor
Xüsusiyyətlər
-
AlSiC Baza
-
AIN Substratlar
-
Yuksək Termal Velosiped sürmək Qabiliyyəti
-
10μ s قیساجا DÖNGƏ Dözümlülük
-
Yüksək V cE (sat ) cihaz
-
Yuksək cürrent yoğunluq
مطلق Maksimum Qiymətləndirmə
(شابلون) |
(پارامتر) |
(آزمایش شرایطی) |
(قیمت) |
(یوللاندیرما) |
VCES |
کلکتور-ایمیتر ولتاژ |
V GE = 0V،Tvj = 25°C |
1700 |
V |
V GES |
گئچمه-پریشان ولتاژ |
|
± 20 |
V |
I C |
کولکتور-پریشان برق |
T case = 100 °C, Tvj = 150 °C |
2400 |
A |
I C ((PK) |
پيك كولكتور آخينليغي |
tP = 1ms |
4800 |
A |
P max |
Maks. transistor güc itkiləri |
Tvj = 150°C، T case = 25 °C |
19.2 |
kw |
1 ـ 2 ـ |
دیود I2t |
VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C |
1170 |
kA2s |
|
ویزول
|
عایق لیک ولتاژ هر ماژول |
( Ümumi terminallar baza plitəsinə),
AC RMS، ۱ دقیقه، ۵۰ هرتز
|
4000
|
V
|
Q PD |
جزئي تخليه هر ماژول |
IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS |
10 |
pC |
الکتریکال خصوصیتلر
Tcase = 25 °C T case = 25°C, əks halda göstərilmədikdə |
|
(شابلون) |
(پارامتر) |
(آزمایش شرایطی) |
(دقيقه) |
(تایپ) |
(ماکس) |
(یوللاندیرما) |
|
|
I CES
|
کولکتورون کسمه سی
|
V GE = 0V, VCE = VCES |
|
|
1 |
ma |
|
V GE = 0V, VCE = VCES , T case =125 °C |
|
|
40 |
ma |
|
V GE = 0V, VCE = VCES , T case =150 °C |
|
|
60 |
ma |
|
I GES |
گئچمیش قایناق آخینلیغی |
V GE = ±20V, VCE = 0V |
|
|
1 |
μA |
|
V GE (TH) |
گئری قاپی سیخ لیق ولتاژ |
I C = 80mA, V GE = VCE |
5.0 |
6.0 |
7.0 |
V |
|
|
VCE (sat) ((*1)
|
کلکتور-ایمیتر سیرلشیب
gərginlik
|
VGE =15V, IC = 2400A |
|
1.75 |
|
V |
|
VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 125 °C |
|
1.95 |
|
V |
|
VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 150 °C |
|
2.05 |
|
V |
|
I F |
دیود اوزروه لی جریان |
DC |
|
2400 |
|
A |
|
I FRM |
دیودین ان چوخ قاباقجا آخینلیغی |
t P = 1ms |
|
4800 |
|
A |
|
|
VF ((*1)
|
دیود اوزروجه لی ولتاژ
|
IF = 2400A |
|
1.65 |
|
V |
|
IF = 2400A, Tvj = 125 °C |
|
1.75 |
|
V |
|
IF = 2400A, Tvj = 150 °C |
|
1.75 |
|
V |
|
سیز |
ورگين قابليت |
VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz |
|
400 |
|
nF |
|
ق ق |
قاپی باج |
±15V |
|
19 |
|
μC |
|
کریس |
گئری گئری یۆکسله مه قابلیتلییی |
VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz |
|
3 |
|
nF |
|
L M |
Modul induktansı |
|
|
10 |
|
nH |
|
R INT |
ترانزیستورون ایچ قارشیلیغی |
|
|
110 |
|
μΩ |
|
|
I SC
|
Qısa dövr cərəyanı, ISC
|
Tvj = 150°C, V CC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs,
VCE(max) = VCES – L (*2) ×di/dt, IEC 6074-9
|
|
12000
|
|
A
|
|
td ((آفلای) |
د خاموش کولو ځنډ وخت |
I C = 2400A
VCE = 900V
L S ~ 50nH
V GE = ±15V
R G(ON) = 0.5Ω
R G(OFF)= 0.5Ω
|
|
2320 |
|
ns |
t f |
پاييز زاماني |
|
500 |
|
ns |
E OFF |
ایستیقامت انرژیسیزلیگی |
|
1050 |
|
mJ |
بـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ |
تورن-توقتیش واختی |
|
450 |
|
ns |
tr |
یوکسلیش واختی |
|
210 |
|
ns |
EON |
ایشلتمه انرژیسیزلیگی |
|
410 |
|
mJ |
قصر |
دیود رئورس ریکوری چارژ |
I F = 2400A
VCE = 900V
diF/dt =10000A/us
|
|
480 |
|
μC |
آ آ آ |
دیود رئورس ریکوریوم کرنتی |
|
1000 |
|
A |
اريك |
دیودین گئری قاییتما انرژیسی |
|
320 |
|
mJ |
td ((آفلای) |
د خاموش کولو ځنډ وخت |
I C = 2400A
VCE = 900V
L S ~ 50nH
V GE = ±15V
R G(ON) = 0.5Ω
R G(OFF)= 0.5Ω
|
|
2340 |
|
ns |
t f |
پاييز زاماني |
|
510 |
|
ns |
E OFF |
ایستیقامت انرژیسیزلیگی |
|
1320 |
|
mJ |
بـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ |
تورن-توقتیش واختی |
|
450 |
|
ns |
tr |
یوکسلیش واختی |
|
220 |
|
ns |
EON |
ایشلتمه انرژیسیزلیگی |
|
660 |
|
mJ |
قصر |
دیود رئورس ریکوری چارژ |
I F = 2400A
VCE = 900V
diF/dt =10000A/us
|
|
750 |
|
μC |
آ آ آ |
دیود رئورس ریکوریوم کرنتی |
|
1200 |
|
A |
اريك |
دیودین گئری قاییتما انرژیسی |
|
550 |
|
mJ |
td ((آفلای) |
د خاموش کولو ځنډ وخت |
I C = 2400A
VCE = 900V
L S ~ 50nH
V GE = ±15V
R G(ON) = 0.5Ω
R G(OFF)= 0.5Ω
|
|
2340 |
|
ns |
t f |
پاييز زاماني |
|
510 |
|
ns |
E OFF |
ایستیقامت انرژیسیزلیگی |
|
1400 |
|
mJ |
بـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ |
تورن-توقتیش واختی |
|
450 |
|
ns |
tr |
یوکسلیش واختی |
|
220 |
|
ns |
EON |
ایشلتمه انرژیسیزلیگی |
|
820 |
|
mJ |
قصر |
دیود رئورس ریکوری چارژ |
I F = 2400A
VCE = 900V
diF/dt =12000A/us
|
|
820 |
|
μC |
آ آ آ |
دیود رئورس ریکوریوم کرنتی |
|
1250 |
|
A |
اريك |
دیودین گئری قاییتما انرژیسی |
|
620 |
|
mJ |
Haqqımızda
Biz diqqətimizi aşağıdakılara yönəldirik tətbiq i̇GBT-nin məhsullar . İGBT-nin tətbiqinə əsaslanaraq, yüksək keyfiyyətli Güc Yığınlarının fərdiləşdirilməsi istiqamətində məhsul çeşidimizi genişləndirmişik. Eyni zamanda, biznesimiz ADC/DAC, LDO, cihaz amplifikatorları, elektromaqnit relyeləri, PhotoMOS və MOSFET daxil olmaqla avtomatlaşdırma idarəetmə məhsulları sahəsinə də yayılmışdır. Beləliklə, ixtisaslaştığımız sahələrdə aparıcı Çin istehsalçıları ilə əməkdaşlıq edərək müştərilərimizə etibarlı və sərfəli məhsullar təqdim edə bilirik.
İnnovasiya və mükəmməllik prinsipləri əsasında qurulmuş, yarımkondensator alternativ həlləri və texnologiyasının ön saflarında durur.
Bizim vizyamız müştərilərimizə alternativ həllər təqdim etmək, onların tətbiq həllərinin xərclərini yaxşılaşdırmaq və Çin istehsalı vasitəsilə təchizat zəncirinin təhlükəsizliyini təmin etməkdir.
EN
