TG1800HF17H1-S500,IGBT Modulu,Yarım qöprək IGBT,CRRC

符号 سیمبول

参数名称 Parametr

test条件

یازیقلار

数值 Qiymət

单位 Vahid

V CES

集电极 -

کلکتور-ایمیتر ولتاژ

V ژئروژنیک = 0V، T C = 25 °C

1700

V

V GES

qapı -

گئچمه-پریشان ولتاژ

T C = 25 °C

± 20

V

I C

集电极电流

کولکتور-پریشان برق

T C = 85 °C, T vj maks. = 175°C

1800

A

I C ((PK)

kollektorun pik cərəyanı

پيك كولكتور آخينليغي

t P =1ms

3600

A

P maks.

ةرصةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةة

مکس. ترانزیستورون گوج تلفیسی

T vj = 175°C, T C = 25 °C

9.38

kw

I 2t

diyot I 2t 值 دیود I 2t

V R =0V، t P = 10ms T vj = 175 °C

551

kA 2s

V izol

绝缘电压 (模块 )

ایزولاسیون gərginlik - هر modul

短接 تمام端子,端子与基板间施加电压 ( Birləşdirilmiş terminal s تک əsas palt) AC RMS، مین، 50 هرتز، T C = 25 °C

4000

V

参数 سیمبول

ətraflı izah

İzah

值 Qiymət

单位 Vahid

dırmaşma məsafəsi

یولون اوزاقلیغی

kontakt -şaquliçə

Kontakta حرارتی سینک

36.0

mm

kontakt -kontakt

ترمینالدان ترمینالا

28.0

mm

绝缘间隙 (ازازازاز) Təmizləmə

kontakt -şaquliçə

Kontakta حرارتی سینک

21.0

mm

kontakt -kontakt

ترمینالدان ترمینالا

19.0

mm

nisbi suxulma ızgara indeksi

CTI (Comparative Tracking Index)

>400

符号 سیمبول

参数名称 Parametr

test条件

یازیقلار

最小值 Min.

典型值 تایپ.

最大值 Maks.

单位 Vahid

R th ((j-c) IGBT

IGBT düyün qabığı istilik müqaviməti

Termal mənfiyyət – IGBT

16

K \/ kw

R th ((j-c) دیود

二极管结热阻

Termal mənfiyyət – دیود

33

K \/ kw

R th ((c-h) IGBT

toxunma istilik müqaviməti (IGBT)

Termal mənfiyyət –

qablosunun dissolvere qoşulması (IGBT)

quraşdırma momenti 5Nm, 导热脂 1W/m·K Quraşdırma momenti 5Nm,

ilə quraşdırma yağ 1W/m·K

14

K \/ kw

R th ((c-h) دیود

toxunma istilik müqaviməti (دیود)

Termal mənfiyyət –

qablosunun dissolvere qoşulması (دیود)

quraşdırma momenti 5Nm, 导热脂 1W/m·K Quraşdırma momenti 5Nm,

ilə quraşdırma yağ 1W/m·K

17

K \/ kw

T vjop

i̇şləmə temperaturu

İşleyici nöqtəsi temperatur

IGBT çip ( IGBT )

-40

150

°C

diod çipi ( Diod )

-40

150

°C

T sTG

saxlama temperaturu

Qoruş Temperatur Diapazonu

-40

150

°C

M

quraşdırma momenti

Vida momenti

安装紧固用 – M5 Quraşdırma – M5

3

6

Nm

电路互连 یاردیم – M4

Elektrik kontaktları – M4

1.8

2.1

Nm

电路互连 یاردیم – M8

Elektrik kontaktları – M8

8

10

Nm

符号 سیمبول

参数名称 Parametr

test条件

یازیقلار

最小值 Min.

典型值 تایپ.

最大值 Maks.

单位 Vahid

R th ((j-c) IGBT

IGBT düyün qabığı istilik müqaviməti

Termal mənfiyyət – IGBT

16

K \/ kw

R th ((j-c) دیود

二极管结热阻

Termal mənfiyyət – دیود

33

K \/ kw

R th ((c-h) IGBT

toxunma istilik müqaviməti (IGBT)

Termal mənfiyyət –

qablosunun dissolvere qoşulması (IGBT)

quraşdırma momenti 5Nm, 导热脂 1W/m·K Quraşdırma momenti 5Nm,

ilə quraşdırma yağ 1W/m·K

14

K \/ kw

R th ((c-h) دیود

toxunma istilik müqaviməti (دیود)

Termal mənfiyyət –

qablosunun dissolvere qoşulması (دیود)

quraşdırma momenti 5Nm, 导热脂 1W/m·K Quraşdırma momenti 5Nm,

ilə quraşdırma yağ 1W/m·K

17

K \/ kw

T vjop

i̇şləmə temperaturu

İşleyici nöqtəsi temperatur

IGBT çip ( IGBT )

-40

150

°C

diod çipi ( Diod )

-40

150

°C

T sTG

saxlama temperaturu

Qoruş Temperatur Diapazonu

-40

150

°C

M

quraşdırma momenti

Vida momenti

安装紧固用 – M5 Quraşdırma – M5

3

6

Nm

电路互连 یاردیم – M4

Elektrik kontaktları – M4

1.8

2.1

Nm

电路互连 یاردیم – M8

Elektrik kontaktları – M8

8

10

Nm

符号 سیمبول

参数名称 Parametr

test条件

یازیقلار

最小值 Min.

典型值 تایپ.

最大值 Maks.

单位 Vahid

R 25

nömrəli direqlər

Nisbəti مقاومت

T C = 25 °C

5

kΩ

△ R /R

R100 sapma

Sapma R100

T C = 100 °C, R 100=493Ω

-5

5

%

P 25

i̇stifadə edilən güc

گوجونو آرادان آپارماق

T C = 25 °C

20

mW

B 25/50

B- 值

B-قیمت

R 2 = R 25exp [B 25/50 1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3375

K

B 25/80

B- 值

B-قیمت

R 2 = R 25exp [B 25/80 1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3411

K

B 25/100

B- 值

B-قیمت

R 2 = R 25exp [B 25/100 1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3433

K

符号 سیمبول

参数名称 Parametr

条件

یازیقلار

最小值 Min.

典型值 تایپ.

最大值 Maks.

单位 Vahid

I CES

集电极截止电流

کولکتورون کسمه سی

V ژئروژنیک = 0V، V CE = V CES

1

ma

V ژئروژنیک = 0V، V CE = V CES , T vj =150 °C

40

ma

V ژئروژنیک = 0V، V CE = V CES , T vj =175 °C

60

ma

I GES

栅极漏电流

Qapı لیکج جریان

V ژئروژنیک = ±20V V CE = 0V

0.5

μA

V ژئروژنیک (TH)

qapı -emissorun hədd voltajı گئری قاپی سیخ لیق ولتاژ

I C = 60mA, V ژئروژنیک = V CE

5.1

5.7

6.3

V

V CE (sat) (۱)

集电极 -emissorun doymuş voltajı

کلکتور-ایمیتر سیرلشیب

gərginlik

V ژئروژنیک =15V، I C = 1800A

1.70

V

V ژئروژنیک =15V، I C = 1800A, T vj = 150 °C

2.10

V

V ژئروژنیک =15V، I C = 1800A, T vj = 175 °C

2.15

V

I F

diodun müsbət düz axım cərəyanı دیود اوزروه لی جریان

DC

1800

A

I FRM

diodun müsbət təkrarlanan pik cərəyanı دیود maksimal işıq cərəyanı n

t P = 1ms

3600

A

V F (۱)

i̇kiqat diodun müsbət gərginliyi

دیود اوزروجه لی ولتاژ

I F = 1800A, V ژئروژنیک = 0

1.60

V

I F = 1800A, V ژئروژنیک = 0, T vj = 150 °C

1.75

V

I F = 1800A, V ژئروژنیک = 0, T vj = 175 °C

1.75

V

I SC

qısa dövr cərəyanı

قيساجا cürrent

T vj = 175°C, V CC = 1000V, V ژئروژنیک ≤ 15 ولت t p ≤ 10μs

V CE(max) = V CES – L (۲) ×di/dt, IEC 60747-9

7400

A

C ies

giriş kapasitansı

ورگين قابليت

V CE = 25V، V ژئروژنیک = 0V، f = 100kHz

542

nF

Q g

栅极电荷

قاپی باج

±15V

23.6

μC

C res

tərs ötürmə kapasitansı

گئری گئری یۆکسله مه قابلیتلییی

V CE = 25V، V ژئروژنیک = 0V، f = 100kHz

0.28

nF

L sCE

modul xərçing induktivliyi

Modul stray inducta nce

8.4

nH

R CC + EE ’

modul kabel direksi, terminal -çip M odule lead مقاومت، terminal-chip

hər açıq

hər dəyişən üçün

0.20

mΩ

R گئنت

içəriq qapı rezistansı

ایچ قاپی rezistor

1

ω

符号 سیمبول

参数名称 Parametr

test条件

یازیقلار

最小值 Min.

典型值 تایپ.

最大值 Maks.

单位 Vahid

t d ((آف))

bağlanma gecikməsi

د خاموش کولو ځنډ وخت

I C =1800A,

V CE = 900V,

V ژئروژنیک = ± 15 ولت R G ((OFF) = 0.5Ω, L S = 25nH,

d v ⁄dt =3800V⁄μs (T vj = 150 °C)

T vj = 25 °C

1000

ns

T vj = 150 °C

1200

T vj = 175 °C

1250

t f

enmə vaxtı پاييز زاماني

T vj = 25 °C

245

ns

T vj = 150 °C

420

T vj = 175 °C

485

E آفلای

bağlanma itkiləri

ایستیقامت انرژیسیزلیگی

T vj = 25 °C

425

mJ

T vj = 150 °C

600

T vj = 175 °C

615

t د ((د))

açılış gecikmə müddəti

تورن-توقتیش واختی

I C =1800A,

V CE = 900V,

V ژئروژنیک = ± 15 ولت R G ((ON) = 0.5Ω, L S = 25nH,

d i ⁄dt = 8500A⁄μs (T vj = 150 °C)

T vj = 25 °C

985

ns

T vj = 150 °C

1065

T vj = 175 °C

1070

t r

上升时间 یوکسلیش واختی

T vj = 25 °C

135

ns

T vj = 150 °C

205

T vj = 175 °C

210

E Açıq

açılma itkiləri

انرژی ایشلت itirki

T vj = 25 °C

405

mJ

T vj = 150 °C

790

T vj = 175 °C

800

Q rr

i̇kiqat diodun tərs bərpa yükü دیود گئری

یئنی دن آلماق هزینه سی

I F =1800A, V CE = 900V,

- د i F /dt = 8500A⁄μs (T vj = 150 °C)

T vj = 25 °C

420

μC

T vj = 150 °C

695

T vj = 175 °C

710

I rr

i̇kiqat diodun tərs bərpa cərəyanı دیود گئری

یئنی دن یئرلشمه جریانی

T vj = 25 °C

1330

A

T vj = 150 °C

1120

T vj = 175 °C

1100

E رئچ

i̇kiqat diodun tərs bərpa itkiləri دیود گئری

انرژی یئنی دن قاییتماسی

T vj = 25 °C

265

mJ

T vj = 150 °C

400

T vj = 175 °C

420