Qısa giriş
Tiristor/Diod Modulu e, MTx800 MFx800 MT800 ,8 00A ,Su ilə soyutma ，tECHSEM tərəfindən istehsal olunur.
Qısa giriş
Tiristor/Diod Modulu e, MTx 800 MFx 800 MT 800，800A ,Su ilə soyutma ，tECHSEM tərəfindən istehsal olunur.
VRRM,VDRM |
Növ & Kontur |
600V |
MT3dəmir |
MFx800-06-411F3 |
800V |
MT3 ədəd |
MFx800-08-411F3 |
1000V |
MTx800-10-411F3 |
MFx800-10-411F3 |
1200V |
MTx800-12-411F3 |
MFx800-12-411F3 |
1400V |
MTx800-14-411F3 |
MFx800-14-411F3 |
1600V |
MTx800-16-411F3 |
MFx800-16-411F3 |
1800V |
MTx800-18-411F3 |
MFx800-18-411F3 |
1800V |
MT3Müxtəlif |
|
MTx hər hansı bir növü MTC, MTA , MTK
MFx hər hansı bir növü MFC, Xarici İşlər Nazirliyi, MFK
Xüsusiyyətlər
- İzolyasiyalı montaj bazası 3000V~
- Təzyiq kontakt texnologiyası ilə
- Artırılmış güc dövrü qabiliyyəti
- Məkan və çəki qənaəti
تطبيقات نموذجي
- AC/DC Motor sürücüləri
- Müxtəlif düzləndiricilər
- PWM invert üçün DC təchizatı
|
سیمبول
|
XƏBƏRDARLIQ
|
یازیقلار
|
Tj( °C ) |
Qiymət |
Vahid
|
Min |
NÖV |
Maks. |
IT(AV) |
Orta açıq vəziyyət cərəyanı |
180° yarım sinus dalğası 50Hz
Tək tərəfdən soyudulmuş, THS=55 °C
|
125
|
|
|
800 |
A |
IT(RMS) |
RMS aktiv vəziyyət cərəyanı |
|
|
1256 |
A |
Idrm Irrm |
Təkrarlanan pik cərəyan |
vDRM-də VRRM-də |
125 |
|
|
45 |
ma |
ITSM |
Dalğalanma açıq vəziyyət cərəyanı |
VR=60%VRRM,t= 10ms yarım sinus |
125 |
|
|
22.0 |
kA |
1 2 t |
Birləşmə koordinasiyası üçün I2t |
125 |
|
|
2420 |
103A 2s |
VTO |
آستانا ولتاژ |
|
125
|
|
|
0.90 |
V |
rT |
Açıq vəziyyət meyl müqaviməti |
|
|
0.35 |
mΩ |
VTM |
Zirvə açıq vəziyyət gərginliyi |
ITM=2400A |
25 |
|
|
1.95 |
V |
dv/dt |
Off-dövlət gərginliyinin kritik artım sürəti |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
یاشاییش حالتینده جریانین تنقیدی آرتیش سرعتی |
Qapı mənbəyi 1.5A
tr ≤0.5μs Təkrarlanan
|
125 |
|
|
200 |
A/μs |
IGT |
Qapı tetik cərəyanı |
VA= 12V, IA= 1A
|
25
|
30 |
|
200 |
ma |
Vgt |
Qapı tetikleme gərginliyi |
0.8 |
|
3.0 |
V |
IH |
Saxlama cərəyanı |
10 |
|
200 |
ma |
IL |
Qapanma cərəyanı |
|
|
1000 |
ma |
VGD |
Tetiklənməyən qapı gərginliyi |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.20 |
V |
Rth(j-c) |
Termal müqavimət Kəsişmədən qutuya |
Hər çip üçün tək tərəfli soyudulmuş |
|
|
|
0.050 |
°C /W |
Rth(c-h) |
İstilik müqaviməti qutudan istilik yayma cihazına |
Hər çip üçün tək tərəfli soyudulmuş |
|
|
|
0.024 |
°C /W |
VISO |
İzolyasiya gərginliyi |
50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
V |
|
Fm
|
Terminal bağlantısı torkü ((M12) |
|
|
12 |
|
16 |
N·m |
Montaj döngə əlaməti ((M8) |
|
|
10 |
|
12 |
N·m |
Tvj |
Birlik temperaturu |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
TSTG |
Saxlanma temperaturu |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
Wt |
Çəki |
|
|
|
3230 |
|
g |
Kontur |
411F3 |
EN
