GD75HFX170C1S, IGBT Modulu, STARPOWER

سیمبول

Təsvir

Qiymət

Vahid

V CES

کلکتور-ایمیتر ولتاژ

1700

V

V GES

گئچمه-پریشان ولتاژ

±20

V

I C

Kolektor Cari @ T C =25 o C @ T C =100 o C

136

75

A

I SM

İmzası Qalınlaşdırma Cari t p =1ms

150

A

P D

Maksimum Güc Dissipation @ T vj =175 o C

539

W

سیمبول

Təsvir

Qiymət

Vahid

V RRM

تکرارلانان اوجون رئورس ولت یاش

1700

V

I F

دیود دواملی ایلک Cu اجاره

75

A

I Fm

Diod Maksimal İravi Cari t p =1ms

150

A

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Vahid

V CE ((sat)

جمع ائدن دن صادر ائدنه شورولوش ولتاژ

I C =75A،V ژئروژنیک =15V، T vj =25 o C

1.85

2.20

V

I C =75A،V ژئروژنیک =15V، T vj =125 o C

2.25

I C =75A،V ژئروژنیک =15V، T vj =150 o C

2.35

V ژئروژنیک (th )

گئچمیش-ایمیتر آستاناسی Gərginlik

I C =3.0 ma ,V CE = V ژئروژنیک , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

کلکسیونر کس -آفلای Cürrent

V CE = V CES ,V ژئروژنیک =0V، T vj =25 o C

5.0

ma

I GES

گئچمیش-ایمیتر لیک Cürrent

V ژئروژنیک = V GES ,V CE =0V، T vj =25 o C

400

nA

R گئنت

داخلی قاپی مقاومتی

8.5

ω

C ies

ورگين قابليت

V CE =25V,f=1Mhz, V ژئروژنیک =0V

9.03

nF

C res

گئری یوللانما ظرفیت

0.22

nF

Q G

قاپی باج

V ژئروژنیک =-15 ...+15V

0.71

μC

t d (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =900V,I C =75A، R G =6.8Ω,V ژئروژنیک =±15V، LS =60 nH ,T vj =25 o C

237

ns

t r

یوکسلیش واختی

59

ns

t d ((آف))

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

314

ns

t f

پاييز زاماني

361

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma Itirki

25.0

mJ

E آفلای

ایستیقلال Itirki

9.5

mJ

t d (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =900V,I C =75A، R G =6.8Ω,V ژئروژنیک =±15V، LS =60 nH ,T vj =125 o C

254

ns

t r

یوکسلیش واختی

70

ns

t d ((آف))

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

383

ns

t f

پاييز زاماني

524

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma Itirki

33.3

mJ

E آفلای

ایستیقلال Itirki

15.1

mJ

t d (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =900V,I C =75A، R G =6.8Ω,V ژئروژنیک =±15V، LS =60 nH ,T vj =150 o C

257

ns

t r

یوکسلیش واختی

75

ns

t d ((آف))

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

396

ns

t f

پاييز زاماني

588

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma Itirki

36.9

mJ

E آفلای

ایستیقلال Itirki

16.6

mJ

I SC

SC Data (داتا)

t P ≤10μs V ژئروژنیک =15V،

T vj =150 o C ,V CC =1000V

V CEM ≤1700V

300

A

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Vahid

V F

دیود جلو Gərginlik

I F =75A،V ژئروژنیک =0V,T vj =2 5o C

1.80

2.25

V

I F =75A،V ژئروژنیک =0V,T vj =12 5o C

1.90

I F =75A،V ژئروژنیک =0V,T vj =15 0o C

1.95

Q r

آلدیغی باج

V R =900V,I F =75A،

-di/dt=700A/μs,V ژئروژنیک =-15V LS =60 nH ,T vj =25 o C

16.4

μC

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

58

A

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

7.2

mJ

Q r

آلدیغی باج

V R =900V,I F =75A،

-di/dt=600A/μs,V ژئروژنیک =-15V LS =60 nH ,T vj =125 o C

30.8

μC

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

64

A

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

15.8

mJ

Q r

آلدیغی باج

V R =900V,I F =75A،

-di/dt=600A/μs,V ژئروژنیک =-15V LS =60 nH ,T vj =150 o C

31.4

μC

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

64

A

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

18.2

mJ

سیمبول

Parametr

Min.

تایپ.

Maks.

Vahid

L CE

یولدان چیخما ایندوکتانس

30

nH

R CC+EE

ماژول رهبري مقاومت ترمینال چیپ

0.65

mΩ

R thJC

گئچمه -ilə -Hal (perIGBT ) گئنیشلیک (دَییشدیر) اوْد)

0.278 0.467

K/W

R thCH

قاب-تا-تزنج (هر IGBT) Kasa-İstilik Sinkinə (hər diod üçün) Kasa-İstilik Sinkinə (hər M بوغاز)

0.160 0.268 0.050

K/W

M

ترمینال اتصال تورک مچرو M5 تورک مونتاژ مچرو M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Çəki of Modul

150

g