Bütün kateqoriyalar

IGBT Discrete

IGBT Discrete

Ana səhifə /  Məhsullar /  IGBT Discrete

DG25X12T2, diskret IGBT, STARPOWER

1200V,25A

Brand:
STARPOWER
  • Tanışdırma
Tanışdırma

بیر یادداش :F və ya daha çox IGBT Discrete , zəhmət olmasa, bir e-poçt göndərin.

Xüsusiyyətlər

  • VCE (sat) آز خندق IGBT texnologiya
  • 10μs قیسا دایره قابیلیتی
  • Aşağı keçid itkisi
  • اوْلان یئرین ان چوخ تئمپراتورو 175oC دیر.
  • آز ایندوکتانسلی قاب
  • VCE ((sat) ilə مثبت temperatur koeffitsiyent
  • سرعتلی و نرم رئورس ریکوری (FWD)
  • Qurğuşunsuz paket

Tipik Tətbiqlər

  • موتور حرکت اوچون اینورتر
  • AC و DC سروپروپریو تقویت کننده
  • Mənfiyyatsız Təminatlı Enerji Taminatı

مطلق Maksimum درجه بندي T C =25 o C مگر digər halda qeyd olunmuş

IGBT

سیمبول

Təsvir

Qiymət

Vahid

V CES

کلکتور-ایمیتر ولتاژ

1200

V

V GES

گئچمه-پریشان ولتاژ

±20

V

I C

Kolektor Cari @ T C =25 o C

@ T C = 110o C

50

25

A

I SM

İmzası Qalınlaşdırma Cari t p t ilə məhdudlaşdırılır jmax

100

A

P D

اعظمي گوٴرچولوق j =175 o C

573

W

دیود

سیمبول

Təsvir

Qiymət

Vahid

V RRM

تکرارلانان اوجون قارشی لیق ولتاژ

1200

V

I F

Diod Davamlı İrəliləyən Cərəyan @ T C = 110o C

25

A

I Fm

دیود Maksimum İrəliləyən Cürrent t p müəyyən tərəfindən T jmax

100

A

آچیق

سیمبول

Təsvir

ارزشه

Vahid

T جوپ

یئرین ایشله مه درجه سی

-40 تا +175

o C

T STG

Saxlama temperaturu Məsafə

-55 تا +150

o C

T S

Soldering Temperature,1.6mm fro m case for 10 saniyələr

260

o C

M

تورک مونتاژ Screw M3

0.6

N.M

IGBT Xarakteristikalar T C =25 o C مگر digər halda qeyd olunmuş

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Vahid

V CE ((sat)

جمع ائدن دن صادر ائدنه

شورولوش ولتاژ

I C =25A, V ژئروژنیک =15V،

T j =25 o C

1.70

2.15

V

I C =25A, V ژئروژنیک =15V،

T j =125 o C

1.95

I C =25A, V ژئروژنیک =15V،

T j =150 o C

2.00

V ژئروژنیک (th )

گئچمیش-ایمیتر آستاناسی Gərginlik

I C =0.63 ma ,V CE = V ژئروژنیک , T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

کلکسیونر کس -آفلای

Cürrent

V CE = V CES ,V ژئروژنیک =0V،

T j =25 o C

1.0

ma

I GES

گئچمیش-ایمیتر لیک Cürrent

V ژئروژنیک = V GES ,V CE =0V، T j =25 o C

400

nA

R گئنت

داخلي قاپي مقاومتي آلانس

0

ω

C ies

ورگين قابليت

V CE =25V,f=1Mhz,

V ژئروژنیک =0V

2.59

nF

C res

گئری یوللانما

ظرفیت

0.07

nF

Q G

قاپی باج

V ژئروژنیک =-15...+15V

0.19

μC

t d (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =600V،I C =25A, R G =20Ω,V ژئروژنیک =±15V، T j =25 o C

28

ns

t r

یوکسلیش واختی

17

ns

t d (آفلای )

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

196

ns

t f

پاييز زاماني

185

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma

Itirki

1.71

mJ

E آفلای

ایستیقلال

Itirki

1.49

mJ

t d (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =600V،I C =25A, R G =20Ω,V ژئروژنیک =±15V، T j =125 o C

28

ns

t r

یوکسلیش واختی

21

ns

t d (آفلای )

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

288

ns

t f

پاييز زاماني

216

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma

Itirki

2.57

mJ

E آفلای

ایستیقلال

Itirki

2.21

mJ

t d (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =600V،I C =25A, R G =20Ω,V ژئروژنیک =±15V، T j =150 o C

28

ns

t r

یوکسلیش واختی

22

ns

t d (آفلای )

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

309

ns

t f

پاييز زاماني

227

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma

Itirki

2.78

mJ

E آفلای

ایستیقلال

Itirki

2.42

mJ

I SC

SC Data (داتا)

t P ≤10μs،V ژئروژنیک =15V،

T j =150 o C,V CC =900V، V CEM ≤1200V

100

A

دیود Xarakteristikalar T C =25 o C مگر digər halda qeyd olunmuş

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Vahid

V F

دیود جلو

Gərginlik

I F =25A,V ژئروژنیک =0V,T j =25 o C

2.20

2.65

V

I F =25A,V ژئروژنیک =0V,T j = 125o C

2.30

I F =25A,V ژئروژنیک =0V,T j = 150o C

2.25

Q r

آلدیغی باج

V R =600V،I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V ژئروژنیک =-15V T j =25 o C

1.43

μC

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

34

A

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

0.75

mJ

Q r

آلدیغی باج

V R =600V،I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V ژئروژنیک =-15V T j = 125o C

2.4

μC

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

42

A

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

1.61

mJ

Q r

آلدیغی باج

V R =600V،I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V ژئروژنیک =-15V T j = 150o C

2.6

μC

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

44

A

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

2.10

mJ

آچیق Xarakteristikalar T C =25 o C مگر digər halda qeyd olunmuş

سیمبول

Parametr

Min.

تایپ.

Maks.

Vahid

R thJC

گئنیشلیک (IGB) T)

گئنیشلیک (دَییشدیر) اوْد)

0.262

0.495

K/W

R thJA

"جونکشن-تو-آمبیوننت"

40

K/W

Pulsuz Qiymət Alın

Bizim temsilçimiz yakında sizə əlaqə saxlayacaq.
Email
Ad
Şirkət Adı
Mesaj
0/1000

Əlaqəli məhsul

هئچ بیر محصول حاقّیندا سوروشوموز وار؟

Peşəkar satış qrupumuz sizin məsləhətləşmənizi gözləyir.
محصول لاری نین لیستینی ایزله یه بیلرسینیز و سئودینیز هر سوالی سوروشا بیلرسینیز.

Əlavə Qiymət Al

Pulsuz Qiymət Alın

Bizim temsilçimiz yakında sizə əlaqə saxlayacaq.
Email
Ad
Şirkət Adı
Mesaj
0/1000